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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Transferred |
| 零件包装代码： | TSOP | 包装说明： | PLASTIC, SC-74, TSOP-6 |
| 针数： | 6 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.29.00.75 |
| 风险等级： | 5.2 | Is Samacsys： | N |
| 其他特性： | LOGIC LEVEL COMPATIBLE | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 30 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 5.4 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 5.4 A | 最大漏源导通电阻： | 0.038 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 代码： | R-PDSO-G6 |
| JESD-609代码： | e3 | 湿度敏感等级： | 1 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 6 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 1.75 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | FET General Purpose Power |
| 表面贴装： | YES | 端子面层： | Tin (Sn) |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| NTGS4141NT1G | ONSEMI |
功能相似  |
Power MOSFET 30 V, 7.0 A, Single N−Channel, TSOP−6 |
|
| FDC855N | FAIRCHILD |
功能相似 |
Single N-Channel, Logic Level, PowerTrench㈢ M |
|
| FDC653N | FAIRCHILD |
功能相似 |
N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor |
|
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| PMN40SNA | NEXPERIA |
获取价格 |
60 V, N-channel Trench MOSFETProduction |
|
| PMN40XPEA | NEXPERIA |
获取价格 |
20 V, P-channel Trench MOSFETProduction |
|
| PMN42XPEA | NEXPERIA |
获取价格 |
20 V, P-channel Trench MOSFETProduction |
|
| PMN45001101AB | INTEL |
获取价格 |
Microprocessor, 32-Bit, 450MHz, CMOS, MMC-2 |
|
| PMN45EN | NXP |
获取价格 |
TrenchMOS⑩ enhanced logic level FET |
|
| PMN45EN,165 | NXP |
获取价格 |
PMN45EN - N-channel TrenchMOS logic level FET TSOP 6-Pin |
|
| PMN48XP | NEXPERIA |
获取价格 |
20 V, 4.1 A P-channel Trench MOSFETProduction |
|
| PMN48XP,115 | ETC |
获取价格 |
MOSFET P-CH 20V 4.1A 6TSOP |
|
| PMN48XP,125 | ETC |
获取价格 |
MOSFET P-CH 20V 4.1A SC-74 |
|
| PMN48XPA | NEXPERIA |
获取价格 |
20 V, P-channel Trench MOSFETProduction |
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