5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > 晶体管 > 小信号场效应晶体管> NTGS4111PT1G
NTGS4111PT1G PDF预览

NTGS4111PT1G

更新时间： 2024-11-25 03:45:51
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 晶体小信号场效应晶体管开关光电二极管PC
页数 文件大小 规格书
5页 72K
描述
Power MOSFET (-30 V, -4.7 A, Single P-Channel, TSOP-6)

阅读下载

中文翻译

获取价格

NTGS4111PT1G 技术参数

是否无铅：不含铅生命周期：Active
零件包装代码：TSOP包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6
针数：6Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99Factory Lead Time：1 week
风险等级：0.91Samacsys Confidence：3
Samacsys Status：ReleasedSamacsys PartID：226818
Samacsys Pin Count：6Samacsys Part Category：Transistor
Samacsys Package Category：SOT23 (6-Pin)Samacsys Footprint Name：TSOP-6 CASE318G-02
Samacsys Released Date：2015-08-28 08:59:57Is Samacsys：N
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：30 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：3.7 A最大漏极电流 (ID)：3.7 A
最大漏源导通电阻：0.06 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：R-PDSO-G6JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：6工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260极性/信道类型：P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：0.63 W认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：YES
端子面层：Tin (Sn)端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：40
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

NTGS4111PT1G 数据手册

 浏览型号NTGS4111PT1G的Datasheet PDF文件第2页浏览型号NTGS4111PT1G的Datasheet PDF文件第3页浏览型号NTGS4111PT1G的Datasheet PDF文件第4页浏览型号NTGS4111PT1G的Datasheet PDF文件第5页 
NTGS4111P  
Power MOSFET  
−30 V, −4.7 A, Single P−Channel, TSOP−6  
Features  
• Leading −30 V Trench Process for Low R  
DS(on)  
http://onsemi.com  
• Low Profile Package Suitable for Portable Applications  
• Surface Mount TSOP−6 Package Saves Board Space  
• Improved Efficiency for Battery Applications  
• Pb−Free Package is Available  
I
MAX  
V
R
TYP  
D
(BR)DSS  
DS(on)  
38 mW @ −10 V  
68 mW @ −4.5 V  
−30 V  
−4.7 A  
Applications  
• Battery Management and Switching  
• Load Switching  
• Battery Protection  
P−Channel  
1 2 5 6  
MAXIMUM RATINGS (T = 25°C unless otherwise noted)  
J
Rating  
Drain−to−Source Voltage  
Gate−to−Source Voltage  
Symbol Value  
Unit  
V
3
V
−30  
20  
DSS  
V
V
GS  
Continuous Drain  
Current (Note 1)  
Steady  
State  
I
A
T = 25°C  
−3.7  
−2.7  
−4.7  
1.25  
D
A
4
T = 85°C  
A
MARKING DIAGRAM &  
PIN ASSIGNMENT  
t ≤ 5 s T = 25°C  
A
Power Dissipation  
(Note 1)  
T = 25°C  
A
P
W
Steady  
State  
D
Drain Drain Source  
6
5
4
t ≤ 5 s  
2.0  
1
Continuous Drain  
Current (Note 2)  
Steady  
State  
I
A
T = 25°C  
−2.6  
−1.9  
0.63  
D
A
TG M G  
G
T = 85°C  
A
TSOP−6  
CASE 318G  
STYLE 1  
Power Dissipation  
(Note 2)  
T = 25°C  
A
P
W
D
1
2
3
Drain Drain Gate  
Pulsed Drain Current  
tp = 10 ms  
I
−15  
A
DM  
Operating Junction and Storage Temperature  
T ,  
−55 to  
150  
°C  
J
TG  
M
= Specific Device Code  
= Date Code*  
T
STG  
G
= Pb−Free Package  
Source Current (Body Diode)  
I
−1.7  
260  
A
S
(Note: Microdot may be in either location)  
Lead Temperature for Soldering Purposes  
(1/8″ from case for 10 s)  
T
°C  
L
*Date Code orientation may vary depending  
upon manufacturing location.  
THERMAL RESISTANCE RATINGS  
Rating  
Symbol  
Max  
100  
62.5  
200  
Unit  
ORDERING INFORMATION  
°C/W  
Junction−to−Ambient – Steady State (Note 1)  
Junction−to−Ambient – t ≤ 5 s (Note 1)  
Junction−to−Ambient – Steady State (Note 2)  
R
q
q
q
JA  
JA  
JA  
†
R
R
Device  
Package  
Shipping  
NTGS4111PT1  
TSOP−6 3000 / Tape & Reel  
Maximum ratings are those values beyond which device damage can occur.  
Maximum ratings applied to the device are individual stress limit values (not  
normal operating conditions) and are not valid simultaneously. If these limits are  
exceeded, device functional operation is not implied, damage may occur and  
reliability may be affected.  
1. Surface−mounted on FR4 board using 1 in sq pad size  
(Cu area = 1.127 in sq [1 oz] including traces).  
2. Surface−mounted on FR4 board using the minimum recommended pad size  
(Cu area = 0.006 in sq).  
NTGS4111PT1G TSOP−6 3000 / Tape& Reel  
(Pb−Free)  
†For information on tape and reel specifications,  
including part orientation and tape sizes, please  
refer to our Tape and Reel Packaging Specifications  
Brochure, BRD8011/D.  
©
Semiconductor Components Industries, LLC, 2006  
1
Publication Order Number:  
April, 2006 − Rev. 2  
NTGS4111P/D  
 
12345

中文翻译

下载PDF

NTGS4111PT1G 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
NTGS4111PT2G ONSEMI

类似代替

 单 P 沟道，功率 MOSFET，-30V，-4.7A，60mΩ
NTGS3455T1G ONSEMI

类似代替

 MOSFET -3.5 Amps, -30 Volts P−Channel TSOP−6
NTGS4111PT1 ONSEMI

类似代替

 Power MOSFET (-30 V, -4.7 A, Single P-Channel, TSOP-6)

与NTGS4111PT1G相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
NTGS4111PT2G ONSEMI

获取价格

 		单 P 沟道，功率 MOSFET，-30V，-4.7A，60mΩ
NTGS4141N ONSEMI

获取价格

 		Power MOSFET 30 V, 7.0 A, Single N−Channel, TSOP−6
NTGS4141NT1 ONSEMI

获取价格

 		Power MOSFET 30 V, 7.0 A, Single N−Channel, TSOP−6
NTGS4141NT1G ONSEMI

获取价格

 		Power MOSFET 30 V, 7.0 A, Single N−Channel, TSOP−6
NTGS5120P ONSEMI

获取价格

 		Power MOSFET −60 V, −2.9 A, Single P−Channel, TSOP−6
NTGS5120PT1G ONSEMI

获取价格

 		Power MOSFET −60 V, −2.9 A, Single P−Channel, TSOP−6
NTH CANDD

获取价格

 		Isolated 2W Dual Output SM DC-DC Converters
NTH+1.8V ETC

获取价格

 		Oscillators | JESD8-7 CMOS
NTH+3.3V ETC

获取价格

 		Oscillators | HCMOS
NTH+5V ETC

获取价格

 		Oscillators | HCMOS/TTL Comp

与NTGS4111PT1G相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证