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Datasheet > 晶体管 > 小信号场效应晶体管> NTUD3169CZT5G
NTUD3169CZT5G PDF预览

NTUD3169CZT5G

更新时间： 2024-11-14 06:00:43
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 晶体小信号场效应晶体管开关光电二极管PC
页数 文件大小 规格书
8页 119K
描述
Small Signal MOSFET 20 V, 220 mA / −200 mA, Complementary, 1.0 x 1.0 mm SOT−963 Package

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NTUD3169CZT5G 技术参数

是否无铅： 不含铅生命周期：Active
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-F6针数：6
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
Factory Lead Time：8 weeks风险等级：1.52
Samacsys Confidence：3Samacsys Status：Released
Samacsys PartID：413067Samacsys Pin Count：6
Samacsys Part Category：TransistorSamacsys Package Category：SO Transistor Flat Lead
Samacsys Footprint Name：NTUD3169CZT5GSamacsys Released Date：2019-03-13 09:18:39
Is Samacsys：N配置：SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR
最小漏源击穿电压：20 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：0.22 A
最大漏极电流 (ID)：0.22 A最大漏源导通电阻：1.5 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-PDSO-F6
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：2端子数量：6
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL AND P-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：0.2 W
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：YES端子面层：Tin (Sn)
端子形式：FLAT端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

NTUD3169CZT5G 数据手册

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NTUD3169CZ  
Small Signal MOSFET  
20 V, 220 mA / −200 mA, Complementary,  
1.0 x 1.0 mm SOT−963 Package  
Features  
http://onsemi.com  
• Complementary MOSFET Device  
• Offers a Low R  
Solution in the Ultra Small 1.0x1.0 mm  
DS(on)  
V
R
DS(on)  
Max  
I Max  
D
(BR)DSS  
Package  
1.5 W @ 4.5 V  
2.0 W @ 2.5 V  
3.0 W @ 1.8 V  
4.5 W @ 1.5 V  
5.0 W @ −4.5 V  
• 1.5 V Gate Voltage Rating  
• Ultra Thin Profile (< 0.5 mm) Allows It to Fit Easily into Extremely  
Thin Environments such as Portable Electronics.  
• This is a Pb−Free Device  
N−Channel  
0.22 A  
20 V  
P−Channel  
Applications  
• Load Switch with Level Shift  
• Optimized for Power Management in Ultra Portable Equipment  
6.0 W @ −2.5 V  
7.0 W @ −1.8 V  
10 W @ −1.5 V  
−0.2 A  
20 V  
MAXIMUM RATINGS (T = 25°C unless otherwise specified)  
J
PINOUT: SOT−963  
Parameter  
Drain−to−Source Voltage  
Symbol Value Unit  
S
1
6
5
4
D
V
20  
8
V
V
1
1
DSS  
Gate−to−Source Voltage  
V
GS  
N−Channel  
Continuous Drain  
Current (Note 1)  
T = 25°C  
220  
160  
280  
−200  
−140  
−250  
125  
A
Steady  
State  
G
2
3
G
2
1
2
T = 85°C  
A
t v 5 s  
T = 25°C  
A
I
D
mA  
D
S
2
P−Channel  
Continuous Drain  
Current (Note 1)  
T = 25°C  
A
Steady  
State  
T = 85°C  
A
Top View  
t v 5 s  
T = 25°C  
A
MARKING  
DIAGRAM  
Power Dissipation  
(Note 1)  
Steady  
State  
T = 25°C  
A
P
D
mW  
t v 5 s  
200  
800  
2 M G  
Pulsed Drain Current N−Channel  
P−Channel  
SOT−963  
CASE 527AD  
t = 10 ms  
p
I
mA  
DM  
1
−600  
Operating Junction and Storage Temperature  
T ,  
STG  
−55 to  
°C  
J
2
= Specific Device Code  
= Date Code  
= Pb−Free Package  
T
150  
M
G
Source Current (Body Diode) (Note 2)  
I
S
200  
260  
mA  
Lead Temperature for Soldering Purposes  
(1/8” from case for 10 s)  
°C  
T
L
ORDERING INFORMATION  
Stresses exceeding Maximum Ratings may damage the device. Maximum  
Ratings are stress ratings only. Functional operation above the Recommended  
Operating Conditions is not implied. Extended exposure to stresses above the  
Recommended Operating Conditions may affect device reliability.  
1. Surface−mounted on FR4 board using the minimum recommended pad size,  
1 oz. Cu.  
†
Device  
NTUD3169CZT5G  
Package  
Shipping  
SOT−963  
(Pb−Free)  
8000 /  
Tape & Reel  
2. Pulse Test: pulse width v300 ms, duty cycle v2%  
†For information on tape and reel specifications,  
including part orientation and tape sizes, please  
refer to our Tape and Reel Packaging Specifications  
Brochure, BRD8011/D.  
©
Semiconductor Components Industries, LLC, 2008  
1
Publication Order Number:  
August, 2008 − Rev. 0  
NTUD3169CZ/D  
 
12345678

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NTUD3169CZT5G 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
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