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Datasheet > 晶体管 > 小信号场效应晶体管> SI3586DV-T1-GE3
SI3586DV-T1-GE3 PDF预览

SI3586DV-T1-GE3

更新时间： 2024-11-21 09:26:07
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 晶体小信号场效应晶体管开关光电二极管
页数 文件大小 规格书
13页 211K
描述
N- and P-Channel 20-V (D-S) MOSFET

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SI3586DV-T1-GE3 技术参数

是否无铅： 不含铅生命周期：Obsolete
零件包装代码：TSOP包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6
针数：6Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99风险等级：5.82
Is Samacsys：N配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：20 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：2.9 A
最大漏极电流 (ID)：2.9 A最大漏源导通电阻：0.06 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-PDSO-G6
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：6工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260极性/信道类型：N-CHANNEL AND P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：1.15 W认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：YES
端子面层：PURE MATTE TIN (SN)端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：30
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

SI3586DV-T1-GE3 数据手册

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Si3586DV  
Vishay Siliconix  
N- and P-Channel 20-V (D-S) MOSFET  
FEATURES  
PRODUCT SUMMARY  
•
Halogen-free According to IEC 61249-2-21  
VDS (V)  
RDS(on) (Ω)  
ID (A)  
3.4  
Definition  
TrenchFET® Power MOSFET  
Fast Switching In Small Footprint  
Very Low RDS(on) for Increased Efficiency  
Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC  
0.060 at VGS = 4.5 V  
0.070 at VGS = 2.5 V  
0.100 at VGS = 1.8 V  
0.110 at VGS = - 4.5 V  
0.145 at VGS = - 2.5 V  
0.220 at VGS = - 1.8V  
•
•
•
•
N-Channel  
P-Channel  
20  
3.2  
2.5  
- 2.5  
- 2.0  
- 1.0  
- 20  
APPLICATIONS  
•
Load Switch for Portable Devices  
S
2
D
1
TSOP-6  
Top View  
G1  
S2  
G2  
D1  
S1  
D2  
1
2
3
6
G
2
3 mm  
5
4
G
1
2.85 mm  
D
2
S
1
Ordering Information: Si3586DV-T1-E3 (Lead (Pb)-free)  
Si3586DV-T1-GE3 (Lead (Pb)-free and Halogen-free)  
P-Channel MOSFET  
N-Channel MOSFET  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS T = 25 °C, unless otherwise noted  
A
N-Channel  
P-Channel  
Steady State  
- 20  
Parameter  
Symbol  
VDS  
Unit  
5 s  
Steady State  
5 s  
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
20  
V
VGS  
8
8
TA = 25 °C  
TA = 70 °C  
3.4  
2.7  
2.9  
2.3  
- 2.5  
- 2.0  
- 2.1  
- 1.7  
Continuous Drain Current (TJ = 150 °C)a  
ID  
A
IDM  
IS  
Pulsed Drain Current  
Continuous Source Current (Diode Conduction)a  
1.05  
1.15  
0.73  
0.75  
0.83  
0.53  
- 1.05  
1.15  
- 0.75  
0.83  
TA = 25 °C  
TA = 70 °C  
Maximum Power Dissipationa  
PD  
W
0.73  
0.53  
TJ, Tstg  
Operating Junction and Storage Temperature Range  
- 55 to 150  
°C  
THERMAL RESISTANCE RATINGS  
Parameter  
Symbol  
Typical  
93  
Maximum  
110  
Unit  
t ≤ 5 s  
Maximum Junction-to-Ambienta  
RthJA  
Steady State  
Steady State  
130  
90  
150  
°C/W  
RthJF  
Maximum Junction-to-Foot (Drain)  
90  
Note:  
a. Surface Mounted on 1" x 1" FR4 board.  
Document Number: 72310  
S09-2110-Rev. D, 12-Oct-09  
www.vishay.com  
1
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SI3586DV-T1-GE3 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
SI3585CDV-T1-GE3 VISHAY

完全替代

 N- and P-Channel 20 V (D-S) MOSFET
SI3588DV-T1-GE3 VISHAY

完全替代

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