Datasheet > 晶体管 > 小信号场效应晶体管> SI3552DV-T1-E3

SI3552DV-T1-E3

更新时间： 2024-09-27 12:46:59

品牌	Logo	应用领域
威世 - VISHAY		晶体小信号场效应晶体管光电二极管
页数	文件大小	规格书
5页	304K
描述
N- and P-Channel 30-V (D-S) MOSFET

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SI3552DV-T1-E3 技术参数

是否无铅：	不含铅	生命周期：	Active
零件包装代码：	TSOP	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6
针数：	6	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.18
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	30 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	2.5 A	最大漏极电流 (ID)：	2.5 A
最大漏源导通电阻：	0.105 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	R-PDSO-G6	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	6	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	260	极性/信道类型：	N-CHANNEL AND P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	1.15 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	YES
端子面层：	Matte Tin (Sn)	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	40
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

SI3552DV-T1-E3 数据手册

SPICE Device Model Si3552DV

Vishay Siliconix

N- and P-Channel 30-V (D-S) MOSFET

CHARACTERISTICS

• N- and P-Channel Vertical DMOS

• Macro Model (Subcircuit Model)

• Level 3 MOS

• Apply for both Linear and Switching Application

• Accurate over the −55 to 125°C Temperature Range

• Model the Gate Charge, Transient, and Diode Reverse Recovery

Characteristics

DESCRIPTION

The attached spice model describes the typical electrical

characteristics of the n- and p-channel vertical DMOS. The

subcircuit model is extracted and optimized over the

−55 to 125°C temperature ranges under the pulsed 0-V to 5-V gate

drive. The saturated output impedance is best fit at the gate bias

near the threshold voltage.

A novel gate-to-drain feedback capacitance network is used to model

the gate charge characteristics while avoiding convergence difficulties

of the switched C_gdmodel. All model parameter values are optimized

to provide a best fit to the measured electrical data and are not

intended as an exact physical interpretation of the device.

SUBCIRCUIT MODEL SCHEMATIC

This document is intended as a SPICE modeling guideline and does not constitute a commercial product data sheet. Designers should refer to the appropriate

data sheet of the same number for guaranteed specification limits.

www.vishay.com

Document Number: 71514

S-52634Rev. C, 02-Jan-06

12 3 4 5

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SI3552DV-T1-E3 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
SI3552DV-T1-GE3	VISHAY	完全替代	N- and P-Channel 30-V (D-S) MOSFET
SI3586DV-T1-GE3	VISHAY	类似代替	N- and P-Channel 20-V (D-S) MOSFET
SI3588DV-T1-E3	VISHAY	类似代替	N- and P-Channel 20-V (D-S) MOSFET

与SI3552DV-T1-E3相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
SI3552DV-T1-GE3	VISHAY	获取价格	N- and P-Channel 30-V (D-S) MOSFET
SI3585CDV	VISHAY	获取价格	N- and P-Channel 20 V (D-S) MOSFET
SI3585CDV-T1-GE3	VISHAY	获取价格	N- and P-Channel 20 V (D-S) MOSFET
SI3585DV		获取价格	N- and P-Channel 20-V (D-S) MOSFET
SI3585DV-E3	VISHAY	获取价格	TRANSISTOR 2000 mA, 20 V, 2 CHANNEL, N AND P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TSOP-6, FE
SI3585DV-T1	VISHAY	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 2A I(D), 20V, 2-Element, N-Channel and P-Channel, Si
SI3585DV-T1-E3	VISHAY	获取价格	TRANSISTOR 2000 mA, 20 V, 2 CHANNEL, N AND P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, ROHS COMPL
SI3585DV-T1-GE3	VISHAY	获取价格	TRANSISTOR 2000 mA, 20 V, 2 CHANNEL, N AND P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, HALOGEN FR
SI3586DV	VISHAY	获取价格	N- and P-Channel 20-V (D-S) MOSFET
SI3586DV_08	VISHAY	获取价格	N- and P-Channel 20-V (D-S) MOSFET

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