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SI3585DV-T1 PDF预览

SI3585DV-T1

更新时间： 2024-09-27 15:51:11
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
8页 65K
描述
Small Signal Field-Effect Transistor, 2A I(D), 20V, 2-Element, N-Channel and P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TSOP-6

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SI3585DV-T1 技术参数

是否Rohs认证：不符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：TSOP包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6
针数：6Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.18
Is Samacsys：N配置：SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：20 V最大漏极电流 (ID)：2 A
最大漏源导通电阻：0.125 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：R-PDSO-G6JESD-609代码：e0
元件数量：2端子数量：6
工作模式：ENHANCEMENT MODE封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：240极性/信道类型：N-CHANNEL AND P-CHANNEL
认证状态：Not Qualified表面贴装：YES
端子面层：TIN LEAD端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：30
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

SI3585DV-T1 数据手册

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Si3585DV  
Vishay Siliconix  
N- and P-Channel 20-V (D-S) MOSFET  
PRODUCT SUMMARY  
VDS (V)  
rDS(on) (W)  
ID (A)  
0.125 @ V = 4.5 V  
2.4  
1.8  
GS  
N-Channel  
P-Channel  
20  
0.200 @ V = 2.5 V  
GS  
0.200 @ V = –4.5 V  
–1.8  
–1.2  
GS  
–20  
0.340 @ V = –2.5 V  
GS  
D
1
S
2
TSOP-6  
Top View  
G1  
S2  
G2  
D1  
S1  
D2  
1
2
3
6
G
2
G
1
3 mm  
5
4
S
1
D
2
2.85 mm  
N-Channel MOSFET  
P-Channel MOSFET  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T = 25_C UNLESS OTHERWISE NOTED)  
A
N-Channel  
P-Channel  
10 secs Steady State  
10 secs  
Steady State  
Parameter  
Symbol  
Unit  
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
V
20  
–20  
DS  
V
V
GS  
"12  
"12  
T
= 25_C  
= 70_C  
2.4  
1.7  
2.0  
1.4  
–1.8  
–1.3  
–1.5  
–1.2  
A
a
Continuous Drain Current (T = 150_C)  
I
J
D
T
A
A
Pulsed Drain Current  
I
8
–7  
DM  
a
Continuous Source Current (Diode Conduction)  
I
1.05  
1.15  
0.59  
0.75  
0.83  
0.53  
–1.05  
1.15  
0.59  
–0.75  
0.83  
0.53  
S
T
A
= 25_C  
= 70_C  
a
Maximum Power Dissipation  
P
W
D
T
A
Operating Junction and Storage Temperature Range  
T , T  
–55 to 150  
_C  
J
stg  
THERMAL RESISTANCE RATINGS  
N-Channel  
P-Channel  
Typ Max  
Typ  
Max  
Parameter  
Symbol  
Unit  
t v 10 sec  
93  
130  
75  
110  
150  
90  
93  
130  
75  
110  
150  
90  
a
Maximum Junction-to-Ambient  
R
thJA  
thJF  
Steady State  
_C/W  
Maximum Junction-to-Foot (Drain)  
Steady State  
R
Notes  
a. Surface Mounted on 1” x 1” FR4 Board.  
Document Number: 71184  
S-03512—Rev. B, 04-Apr-01  
www.vishay.com  
1
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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
SI3585DV-T1-E3 VISHAY

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 		TRANSISTOR 2000 mA, 20 V, 2 CHANNEL, N AND P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, ROHS COMPL
SI3585DV-T1-GE3 VISHAY

获取价格

 		TRANSISTOR 2000 mA, 20 V, 2 CHANNEL, N AND P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, HALOGEN FR
SI3586DV VISHAY

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 		N- and P-Channel 20-V (D-S) MOSFET
SI3586DV_08 VISHAY

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 		N- and P-Channel 20-V (D-S) MOSFET
SI3586DV_09 VISHAY

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SI3588DV_09 VISHAY

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 		Transistor,

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