SI3812DV

更新时间： 2024-09-27 04:04:47

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威世 - VISHAY		晶体肖特基二极管晶体管功率场效应晶体管
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6页	53K
描述
N-Channel 20-V (D-S) MOSFET With Schottky Diode

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SI3812DV 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	,	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.91	配置：	Single
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	2 A	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-609代码：	e0	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	1.15 W	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	YES	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
Base Number Matches：	1

SI3812DV 数据手册

Si3812DV

Vishay Siliconix

N-Channel 20-V (D-S) MOSFET With Schottky Diode

MOSFET PRODUCT SUMMARY

V_DS(V)

r_DS(on)(W)

I_D(A)

0.125 @ V = 4.5 V

"2.4

"1.8

0.200 @ V = 2.5 V

SCHOTTKY PRODUCT SUMMARY

V_f(V)

V_KA(V)

I_F(A)

Diode Forward Voltage

0.48 V @ 0.5 A

0.5

TSOP-6

Top View

3 mm

N/C

2.85 mm

N-Channel MOSFET

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T = 25_C UNLESS OTHERWISE NOTED)

Parameter

Symbol

5 sec

Steady State

Unit

Drain-Source Voltage (MOSFET)

Reverse Voltage (Schottky)

Gate-Source Voltage (MOSFET)

"12

= 25_C

= 85_C

"2.0

"1.4

"2.4

"1.7

Continuous Drain Current (T = 150_C) (MOSFET)

Pulsed Drain Current (MOSFET)

Continuous Source Current (MOSFET Diode Conduction)

Average Foward Current (Schottky)

1.05

0.5

0.75

0.5

Pulsed Foward Current (Schottky)

= 25_C

= 85_C

= 25_C

= 85_C

1.15

0.59

1.0

0.83

0.53

0.76

0.48

Maximum Power Dissipation (MOSFET)

Maximum Power Dissipation (Schottky)

0.52

Operating Junction and Storage Temperature Range

T , T

–55 to 150

stg

Notes

a. Surface Mounted on 1” x 1” FR4 Board.

Document Number: 71069

S-03510—Rev. D, 16-Apr-01

www.vishay.com

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SI3812DV 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
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