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SI3861DV

更新时间： 2024-10-29 22:05:03
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 外围驱动器驱动程序和接口开关接口集成电路光电二极管
页数 文件大小 规格书
4页 121K
描述
Integrated Load Switch

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SI3861DV 技术参数

是否Rohs认证：不符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：SOT-23包装说明：SOT-6
针数：6Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8542.39.00.01
风险等级：5.34Is Samacsys：N
内置保护：TRANSIENT驱动器位数：1
接口集成电路类型：BUFFER OR INVERTER BASED PERIPHERAL DRIVERJESD-30 代码：R-PDSO-G6
JESD-609代码：e0长度：2.9 mm
湿度敏感等级：1标称负供电电压：-8 V
功能数量：1端子数量：6
输出电流流向：SOURCE最大输出电流：2.8 A
标称输出峰值电流：9 A封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装代码：LSSOP封装等效代码：TSOP6,.11,37
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE, LOW PROFILE, SHRINK PITCH
电源：+-8 V认证状态：Not Qualified
座面最大高度：1.22 mm子类别：Peripheral Drivers
最大供电电压：8 V最小供电电压：2.5 V
标称供电电压：8 V表面贴装：YES
技术：MOS端子面层：Tin/Lead (Sn85Pb15)
端子形式：GULL WING端子节距：0.95 mm
端子位置：DUAL宽度：1.6 mm
Base Number Matches：1

SI3861DV 数据手册

 浏览型号SI3861DV的Datasheet PDF文件第2页浏览型号SI3861DV的Datasheet PDF文件第3页浏览型号SI3861DV的Datasheet PDF文件第4页 
August 2001  
Si3861DV  
Integrated Load Switch  
Features  
General Description  
• –2.8 A, –8 V. RDS(ON) = 55 mΩ @ VGS = –4.5 V  
This device is particularly suited for compact power  
management in portable electronic equipment where  
2.5V to 8V input and 2.8A output current capability are  
needed. This load switch integrates a small N-Channel  
power MOSFET (Q1) that drives a large P-Channel  
power MOSFET (Q2) in one tiny SuperSOTTM-6  
package.  
R
R
DS(ON) = 70 mΩ @ VGS = –2.5 V  
DS(ON) = 100 mΩ @ VGS = –1.8 V  
• Control MOSFET (Q1) includes Zener protection for  
ESD ruggedness (>6KV Human body model)  
• High performance trench technology for extremely  
low RDS(ON)  
Applications  
• Load switch  
• Power management  
Equivalent Circuit  
Q2  
Vin,R1  
4
Vout,C1  
3
IN  
OUT  
+
–
V
DROP  
ON/OFF  
Vout,C1  
R2  
5
2
1
Q1  
G
R1,C1  
6
ON/OFF  
Pin 1  
See Application Circuit  
SuperSOT™-6  
Absolute Maximum Ratings TA=25oC unless otherwise noted  
Symbol  
Parameter  
Ratings  
Units  
VIN  
Maximum Input Voltage  
V
V
A
8
VON/OFF  
ILoad  
High level ON/OFF voltage range  
Load Current – Continuous  
– Pulsed  
–0.5 to 8  
–2.8  
(Note 1)  
(Note 1)  
–9  
0.7  
Maximum Power Dissipation  
PD  
W
TJ, TSTG  
Operating and Storage Junction Temperature Range  
–55 to +150  
°C  
Thermal Characteristics  
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient  
Thermal Resistance, Junction-to-Case  
(Note 1)  
(Note 1)  
180  
60  
RθJA  
RθJC  
°C/W  
°C/W  
Package Marking and Ordering Information  
Device Marking  
Device  
Reel Size  
Tape width  
8mm  
Quantity  
3000 units  
.861  
Si3861DV  
7’’  
Si3861DV Rev B(W)  
2001 Fairchild Semiconductor Corporation  
1234

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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