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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | TSOP | 包装说明： | TSOP, |
| 针数： | 6 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8542.39.00.01 |
| 风险等级： | 5.8 | 接口集成电路类型： | BUFFER OR INVERTER BASED PERIPHERAL DRIVER |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G6 | JESD-609代码： | e0 |
| 长度： | 3.05 mm | 功能数量： | 1 |
| 端子数量： | 6 | 最高工作温度： | 85 °C |
| 最低工作温度： | -25 °C | 输出电流流向： | SOURCE |
| 标称输出峰值电流： | 8 A | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码： | TSOP | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE, THIN PROFILE | 峰值回流温度（摄氏度）： | 240 |
| 认证状态： | Not Qualified | 座面最大高度： | 1.1 mm |
| 表面贴装： | YES | 温度等级： | OTHER |
| 端子面层： | TIN LEAD | 端子形式： | GULL WING |
| 端子节距： | 1 mm | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | 30 | 断开时间： | 180 µs |
| 接通时间： | 25 µs | 宽度： | 1.65 mm |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| SI3831DV-T1-GE3 | VISHAY |
获取价格 |
IC PWR SW BI-DIR PCHAN 6TSOP |
|
| SI3850ADV | VISHAY |
获取价格 |
Complementary MOSFET Half-Bridge (N- and P-Channel) |
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| SI3850ADV_08 | VISHAY |
获取价格 |
Complementary MOSFET Half-Bridge (N- and P-Channel) |
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| SI3850ADV_09 | VISHAY |
获取价格 |
Complementary MOSFET Half-Bridge (N- and P-Channel) |
|
| SI3850ADV-T1-E3 | VISHAY |
获取价格 |
Complementary MOSFET Half-Bridge (N- and P-Channel) |
|
| SI3850ADV-T1-GE3 | VISHAY |
获取价格 |
Complementary MOSFET Half-Bridge (N- and P-Channel) |
|
| SI3850DV | VISHAY |
获取价格 |
Complementary MOSFET Half-Bridge (N- and P-Channel) |
|
| SI3850DV-T1 | VISHAY |
获取价格 |
Transistor |
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| SI3851DV | VISHAY |
获取价格 |
P-Channel 30-V (D-S) MOSFET With Schottky Diode |
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| SI3851DV_08 | VISHAY |
获取价格 |
P-Channel 30-V (D-S) MOSFET With Schottky Diode |
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