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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | TSOP |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6 | 针数： | 6 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.74 | Is Samacsys： | N |
| 配置： | COMMON DRAIN, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 20 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 1.4 A | 最大漏极电流 (ID)： | 1.4 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.41 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G6 | JESD-609代码： | e3 |
| 湿度敏感等级： | 1 | 元件数量： | 2 |
| 端子数量： | 6 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 | 极性/信道类型： | N-CHANNEL AND P-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 1.08 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | Other Transistors | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | PURE MATTE TIN | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | 30 |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| SI3585CDV-T1-GE3 | VISHAY |
完全替代  |
N- and P-Channel 20 V (D-S) MOSFET |
|
| SI3588DV-T1-E3 | VISHAY |
完全替代 |
N- and P-Channel 20-V (D-S) MOSFET |
|
| SI3850ADV-T1-E3 | VISHAY |
完全替代 |
Complementary MOSFET Half-Bridge (N- and P-Channel) |
|
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| SI3850DV | VISHAY |
获取价格 |
Complementary MOSFET Half-Bridge (N- and P-Channel) |
|
| SI3850DV-T1 | VISHAY |
获取价格 |
Transistor |
|
| SI3851DV | VISHAY |
获取价格 |
P-Channel 30-V (D-S) MOSFET With Schottky Diode |
|
| SI3851DV_08 | VISHAY |
获取价格 |
P-Channel 30-V (D-S) MOSFET With Schottky Diode |
|
| SI3851DV-T1 | VISHAY |
获取价格 |
Transistor |
|
| SI3851DV-T1-E3 | VISHAY |
获取价格 |
Trans MOSFET P-CH 30V 1.6A 6-Pin TSOP T/R |
|
| SI3853DV | VISHAY |
获取价格 |
P-Channel 20-V (D-S) MOSFET With Schottky Diode |
|
| SI3853DV-E3 | VISHAY |
获取价格 |
TRANSISTOR 1600 mA, 20 V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TSOP-6, FET General Purpose |
|
| SI3861 | FAIRCHILD |
获取价格 |
Integrated Load Switch |
|
| SI3861BDV | VISHAY |
获取价格 |
Load Switch with Level-Shift |
|
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