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Datasheet > SI3865CDV-T1-GE3
SI3865CDV-T1-GE3 PDF预览

SI3865CDV-T1-GE3

更新时间： 2024-11-21 20:06:51
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 驱动光电二极管接口集成电路驱动器
页数 文件大小 规格书
10页 225K
描述
Buffer/Inverter Based Peripheral Driver, 1 Driver, PDSO6, HALOGEN FREE AND LEAD FREE, MO-193C, TSOP-6

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SI3865CDV-T1-GE3 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：TSSOP
包装说明：TSSOP, TSOP6,.11,37针数：6
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8542.39.00.01风险等级：7.87
内置保护：TRANSIENT驱动器位数：1
接口集成电路类型：BUFFER OR INVERTER BASED PERIPHERAL DRIVERJESD-30 代码：R-PDSO-G6
JESD-609代码：e3长度：3.05 mm
湿度敏感等级：1功能数量：1
端子数量：6输出电流流向：SOURCE AND SINK
最大输出电流：2.8 A封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装代码：TSSOP封装等效代码：TSOP6,.11,37
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH
峰值回流温度（摄氏度）：260电源：1.8/12 V
认证状态：Not Qualified座面最大高度：1.1 mm
子类别：Peripheral Drivers最大供电电压：12 V
最小供电电压：1.8 V标称供电电压：3 V
表面贴装：YES端子面层：PURE MATTE TIN
端子形式：GULL WING端子节距：0.95 mm
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：30
宽度：1.65 mmBase Number Matches：1

SI3865CDV-T1-GE3 数据手册

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New Product  
Si3865CDV  
Vishay Siliconix  
Load Switch with Level-Shift  
FEATURES  
PRODUCT SUMMARY  
•
Halogen-free According to IEC 61249-2-21  
VDS2 (V) (VIN  
)
RDS(on) ()  
ID (A)  
2.8  
Definition  
0.060 at VIN = 4.5 V  
0.095 at VIN = 2.5 V  
0.130 at VIN = 1.8 V  
•
•
•
•
•
•
•
60 mLow RDS(on) TrenchFET®  
1.8 V to 12 V Input  
1.5 V to 8 V Logic Level Control  
Low Profile, Small Footprint TSOP-6 Package  
3000 V ESD Protection On Input Switch, VON/OFF  
Adjustable Slew-Rate  
1.8 to 12  
2.2  
1.9  
Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC  
APPLICATIONS  
Load Switching for Portable Devices  
•
DESCRIPTION  
The Si3865CDV includes a P- and N-Channel MOSFET in a  
single TSOP-6 package. The low on-resistance P-Channel  
TrenchFET is tailored for use as a load switch. The  
N-Channel, with an external resistor, can be used as a level-  
shift to drive the P-Channel load-switch. The N-Channel  
MOSFET has internal ESD protection and can be driven by  
logic signals as low as 1.5 V. The Si3865CDV operates on  
supply lines from 1.8 to 12 V, and can drive loads up to 2.8 A.  
APPLICATION CIRCUITS  
Si3865CDV  
45  
2, 3  
4
V
t
OUT  
d(off)  
V
IN  
Q2  
36  
R1  
C1  
I
= 1 A  
ON/OFF  
L
V
i
6
5
6
= 3 V  
C = 10 µF  
C
27  
18  
9
= 1 µF  
o
t
f
ON/OFF  
LOAD  
C
o
Q1  
t
d(on)  
C
i
t
r
1
0
R2  
0
2
4
6
8
10  
GND  
R2 (kΩ)  
Switching Variation  
R2 at VIN = 2.5 V, R1 = 20 k  
R2  
The Si3865CDV is ideally suited for high-side load switching  
in portable applications. The integrated N-Channel level-shift  
device saves space by reducing external components. The  
slew rate is set externally so that rise-times can be tailored to  
different load types.  
COMPONENTS  
R1  
Pull-Up Resistor  
Typical 10 kto 1 M*  
Typical 0 to 100 k*  
Typical 1000 pF  
R2  
Optional Slew-Rate Control  
Optional Slew-Rate Control  
C1  
Note:  
* Minimum R1 value should be at least 10 x R2 to ensure Q1 turn-on at 1.8 V input.  
Document Number: 69010  
S10-2142-Rev. C, 20-Sep-10  
www.vishay.com  
1
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与SI3865CDV-T1-GE3相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
SI3865DDV VISHAY

获取价格

 		Analog Circuit, 1 Func, PDSO6, TSOP-6
SI3865DV VISHAY

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 		iLoad Switch with Level-Shift
SI3865DV-T1-E3 VISHAY

获取价格

 		Buffer/Inverter Based Peripheral Driver, 6A, PDSO6, LEAD FREE, LOW PROFILE, TSOP-6
SI3867DV VISHAY

获取价格

 		P-Channel 20-V (D-S) MOSFET
SI3867DV_08 VISHAY

获取价格

 		P-Channel 20-V (D-S) MOSFET
SI3867DV-E3 VISHAY

获取价格

 		TRANSISTOR 3900 mA, 20 V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TSOP-6, FET General Purpose
SI3867DV-T1 VISHAY

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 		P-Channel 20-V (D-S) MOSFET
SI3867DV-T1-E3 VISHAY

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 		P-Channel 20-V (D-S) MOSFET
SI3872DV VISHAY

获取价格

 		Small Signal Field-Effect Transistor, 2.5A I(D), 30V, 1-Element, N-Channel and P-Channel,
SI3872DV-T1 VISHAY

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 		Small Signal Field-Effect Transistor, 2.5A I(D), 30V, 1-Element, N-Channel and P-Channel,

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