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SI3872DV-T1-E3

更新时间: 2024-11-04 19:52:23
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
7页 305K
描述
TRANSISTOR 2500 mA, 30 V, N AND P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, LEAD FREE, TSOP-6, FET General Purpose Small Signal

SI3872DV-T1-E3 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Active零件包装代码:TSOP
包装说明:SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6针数:6
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
风险等级:5.4配置:SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压:30 V最大漏极电流 (ID):2.5 A
最大漏源导通电阻:0.105 ΩFET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码:R-PDSO-G6JESD-609代码:e3
湿度敏感等级:1元件数量:1
端子数量:6工作模式:ENHANCEMENT MODE
最高工作温度:150 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度):260极性/信道类型:N-CHANNEL AND P-CHANNEL
认证状态:Not Qualified表面贴装:YES
端子面层:MATTE TIN端子形式:GULL WING
端子位置:DUAL处于峰值回流温度下的最长时间:40
晶体管元件材料:SILICONBase Number Matches:1

SI3872DV-T1-E3 数据手册

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