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SI3879DV-T1-GE3

更新时间： 2024-11-21 21:12:07
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY /
页数 文件大小 规格书
14页 233K
描述
Power Field-Effect Transistor, P-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET,

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SI3879DV-T1-GE3 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
包装说明：,Reach Compliance Code：compliant
风险等级：5.83配置：Single
最大漏极电流 (Abs) (ID)：5 AFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最高工作温度：150 °C峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：P-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：3.3 W
子类别：Other Transistors表面贴装：YES
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIEDBase Number Matches：1

SI3879DV-T1-GE3 数据手册

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Si3879DV  
Vishay Siliconix  
P-Channel 20-V (D-S) MOSFET with Schottky Diode  
FEATURES  
PRODUCT SUMMARY  
ID (A)a  
- 5.0  
•
Halogen-free According to IEC 61249-2-21  
Definition  
VDS (V)  
RDS(on) (Ω)  
Qg (Typ.)  
0.070 at VGS = - 5.0 V  
0.105 at VGS = - 2.5 V  
LITTLE FOOT® Plus Schottky Power MOSFET  
Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC  
- 20  
4.5 nC  
•
•
- 4.2  
SCHOTTKY PRODUCT SUMMARY  
APPLICATIONS  
Vf (V)  
•
HDD  
IF (A)a  
2
VKA (V)  
Diode Forward Voltage  
- DC-DC Converter  
20  
0.45 at 1 A  
•
Asynchronous Rectification  
S
A
TSOP-6  
Top View  
A
S
G
D/K  
D/K  
1
2
3
6
5
G
3 mm  
Marking Code  
IG XXX  
D/K  
4
Lot Traceability  
and Date Code  
Part # Code  
2.85 mm  
D
K
Ordering Information: Si3879DV-T1-E3 (Lead (Pb)-free)  
P-Channel MOSFET  
Si3879DV-T1-GE3 (Lead (Pb)-free and Halogen-free)  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS T = 25 °C, unless otherwise noted  
A
Parameter  
Symbol  
Limit  
Unit  
VDS  
Drain-Source Voltage (MOSFET)  
Reverse Voltage (Schottky)  
Gate-Source Voltage (MOSFET)  
- 20  
20  
VKA  
VGS  
V
12  
TC = 25 °C  
- 5.0  
T
C = 70 °C  
A = 25 °C  
- 4.0  
Continuous Drain Current (TJ = 150 °C) (MOSFET)  
ID  
- 4.0b, c  
- 3.0b, c  
- 20  
T
TA = 70 °C  
IDM  
IS  
Pulsed Drain Current (MOSFET)  
A
TC = 25 °C  
- 2.7  
Continuous Source-Drain Diode Current  
(MOSFET Diode Conduction)  
- 1.6b, c  
2b  
TA = 25 °C  
IF  
Average Forward Current (Schottky)  
Pulsed Forward Current (Schottky)  
IFM  
5
TC = 25 °C  
TC = 70 °C  
3.3  
2.1  
Maximum Power Dissipation (MOSFET)  
2.0b, c  
1.2b, c  
1.9  
TA = 25 °C  
TA = 70 °C  
TC = 25 °C  
TC = 70 °C  
PD  
W
1.2  
Maximum Power Dissipation (Schottky)  
1.3b, c  
0.9b, c  
TA = 25 °C  
TA = 70 °C  
TJ, Tstg  
Operating Junction and Storage Temperature Range  
- 55 to 150  
°C  
Document Number: 74958  
S09-2275-Rev. B, 02-Nov-09  
www.vishay.com  
1
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SI3879DV-T1-GE3 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
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