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SI3905DV-T1-E3

更新时间： 2024-11-09 15:51:11

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威世 - VISHAY		/
页数	文件大小	规格书
6页	109K
描述
Small Signal Field-Effect Transistor, P-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET,

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SI3905DV-T1-E3 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	,	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.83	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	2.5 A
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	最高工作温度：	150 °C
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	1.15 W	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	YES	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
Base Number Matches：	1

SI3905DV-T1-E3 数据手册

Si3905DV

Vishay Siliconix

Dual P-Channel 8-V (D-S) MOSFET

FEATURES

PRODUCT SUMMARY

•

Halogen-free According to IEC 61249-2-21

V_DS(V)

R_DS(on)(Ω)

I_D(A)

2.5

Definition

0.125 at V_GS= - 4.5 V

0.175 at V_GS= - 2.5 V

0.265 at V_GS= - 1.8 V

•

TrenchFET^®Power MOSFETs: 1.8 V Rated

Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC

- 8

2.0

1.7

TSOP-6

Top View

3 mm

2.85 mm

Ordering Information: Si3905DV-T1-E3 (Lead (Pb)-free)

Si3905DV-T1-GE3 (Lead (Pb)-free and Halogen-free)

P-Channel MOSFET

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS T = 25 °C, unless otherwise noted

Parameter

Symbol

Limit

- 8

Unit

V_DS

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

V_GS

T_A= 25 °C

T_A= 70 °C

2.5

Continuous Drain Current (T_J= 150 °C)^{a, b}

I_D

2.0

I_DM

I_S

Pulsed Drain Current

Continuous Diode Current (Diode Conduction)^{a, b}

- 1.05

1.15

0.73

T_A= 25 °C

T_A= 70 °C

Maximum Power Dissipation^{a, b}

P_D

T_J, T_stg

Operating Junction and Storage Temperature Range

- 55 to 150

°C

THERMAL RESISTANCE RATINGS

Parameter

Symbol

Typical

Maximum

110

Unit

t ≤ 5 s

Maximum Junction-to-Ambient^a

Maximum Junction-to-Lead

R_thJA

Steady State

130

150

°C/W

R_thJL

Notes:

a. Surface Mounted on FR4 board.

b. t ≤ 5 s.

Document Number: 70973

S09-2276-Rev. B, 02-Nov-09

www.vishay.com

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