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SI3900DV-E3

更新时间： 2024-11-21 19:49:43
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
4页 40K
描述
TRANSISTOR 2000 mA, 20 V, 2 CHANNEL, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TSOP-6, FET General Purpose Small Signal

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SI3900DV-E3 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active零件包装代码：TSOP
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6针数：6
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
风险等级：5.13配置：SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：20 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：2 A
最大漏极电流 (ID)：2 A最大漏源导通电阻：0.125 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-PDSO-G6
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：2端子数量：6
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：0.83 W
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：YES端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：40晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

SI3900DV-E3 数据手册

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Si3900DV  
Vishay Siliconix  
Dual N-Channel 20-V (D-S) MOSFET  
PRODUCT SUMMARY  
VDS (V)  
rDS(on) (W)  
ID (A)  
0.125 @ V = 4.5 V  
2.4  
1.8  
GS  
20  
0.200 @ V = 2.5 V  
GS  
D
1
D
2
TSOP-6  
Top View  
G1  
S2  
G2  
D1  
S1  
D2  
1
2
3
6
3 mm  
5
4
G
G
2
1
S
1
S
2
2.85 mm  
N-Channel MOSFET  
N-Channel MOSFET  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T = 25_C UNLESS OTHERWISE NOTED)  
A
Parameter  
Symbol  
5 sec  
Steady State  
Unit  
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
V
20  
DS  
GS  
V
V
ꢀ
1
2
T
= 25_C  
= 85_C  
2.4  
1.7  
2.0  
1.4  
A
a
Continuous Drain Current (T = 150_C)  
I
J
D
T
A
A
Pulsed Drain Current (10 ms Pulse Width)  
I
8
DM  
a
Continuous Source Current (Diode Conduction)  
I
1.05  
1.15  
0.59  
0.75  
0.83  
0.53  
S
T
= 25_C  
= 85_C  
A
a
Maximum Power Dissipation  
P
W
D
T
A
Operating Junction and Storage Temperature Range  
T , T  
–55 to 150  
_C  
J
stg  
THERMAL RESISTANCE RATINGS  
Parameter  
Symbol  
Typical  
Maximum  
Unit  
t
ꢁ
5 sec  
93  
130  
75  
110  
150  
90  
a
Maximum Junction-to-Ambient  
R
thJA  
R
thJF  
Steady State  
Steady State  
_C/W  
Maximum Junction-to-Foot (Drain)  
Notes  
a. Surface Mounted on 1” x 1” FR4 Board.  
Document Number: 71178  
S-03511—Rev. B, 16-Apr-01  
www.vishay.com  
1
1234

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
SI3900DV-T1 VISHAY

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 		Dual N-Channel 20-V (D-S) MOSFET
SI3900DV-T1-E3 VISHAY

获取价格

 		Dual N-Channel 20-V (D-S) MOSFET
SI3900DV-T1-GE3 VISHAY

获取价格

 		Dual N-Channel 20-V (D-S) MOSFET
SI3900M100 NTE

获取价格

 		SNAP-IN MOUNT ALUMINUM ELECTROLYTIC
SI3900M16 NTE

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