5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > SI3909DV-T1-E3
SI3909DV-T1-E3 PDF预览

SI3909DV-T1-E3

更新时间： 2024-11-21 21:11:55
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
6页 109K
描述
Small Signal Field-Effect Transistor, 1.8A I(D), 20V, 2-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TSOP-6

阅读下载

中文翻译

获取价格

SI3909DV-T1-E3 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：TSOP包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6
针数：6Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.84
配置：SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：20 V
最大漏极电流 (ID)：1.8 A最大漏源导通电阻：0.2 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-PDSO-G6
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：2端子数量：6
工作模式：ENHANCEMENT MODE封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260极性/信道类型：P-CHANNEL
认证状态：Not Qualified表面贴装：YES
端子面层：MATTE TIN端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：40
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

SI3909DV-T1-E3 数据手册

 浏览型号SI3909DV-T1-E3的Datasheet PDF文件第2页浏览型号SI3909DV-T1-E3的Datasheet PDF文件第3页浏览型号SI3909DV-T1-E3的Datasheet PDF文件第4页浏览型号SI3909DV-T1-E3的Datasheet PDF文件第5页浏览型号SI3909DV-T1-E3的Datasheet PDF文件第6页 
Si3909DV  
Vishay Siliconix  
Dual P-Channel 20-V (D-S) MOSFET  
FEATURES  
PRODUCT SUMMARY  
•
Halogen-free According to IEC 61249-2-21  
VDS (V)  
RDS(on) (Ω)  
ID (A)  
1.8  
Definition  
0.200 at VGS = - 4.5 V  
0.235 at VGS = - 3.6 V  
0.340 at VGS = - 2.5 V  
•
•
TrenchFET® Power MOSFETs: 2.5 V Rated  
Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC  
- 20  
1.6  
1.3  
TSOP-6  
Top View  
S
1
S
2
G1  
S2  
G2  
D1  
S1  
D2  
1
2
3
6
5
3 mm  
G
1
G
2
4
2.85 mm  
D
1
D
2
Ordering Information: Si3909DV-T1-E3 (Lead (Pb)-free)  
Si3909DV-T1-GE3 (Lead (Pb)-free and Halogen-free)  
P-Channel MOSFET  
P-Channel MOSFET  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS T = 25 °C, unless otherwise noted  
A
Parameter  
Symbol  
Limit  
- 20  
12  
Unit  
VDS  
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
V
VGS  
TA = 25 °C  
TA = 70 °C  
1.8  
Continuous Drain Current (TJ = 150 °C)a, b  
ID  
1.2  
A
IDM  
IS  
Pulsed Drain Current  
7
Continuous Diode Current (Diode Conduction)a, b  
- 1.05  
1.15  
0.73  
TA = 25 °C  
Maximum Power Dissipationa, b  
PD  
W
TA = 70 °C  
TJ, Tstg  
Operating Junction and Storage Temperature Range  
- 55 to 150  
°C  
THERMAL RESISTANCE RATINGS  
Parameter  
Symbol  
Typical  
93  
Maximum  
110  
Unit  
t ≤ 5 s  
Maximum Junction-to-Ambienta  
Maximum Junction-to-Lead  
RthJA  
Steady State  
Steady State  
130  
75  
150  
°C/W  
RthJL  
90  
Notes:  
a. Surface Mounted on FR4 board.  
b. t ≤ 5 s.  
Document Number: 70968  
S09-2276-Rev. B, 02-Nov-09  
www.vishay.com  
1
123456

中文翻译

下载PDF

与SI3909DV-T1-E3相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
SI3909DV-T1-GE3 VISHAY

获取价格

 		Small Signal Field-Effect Transistor, 20V, 2-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semi
SI390M100 NTE

获取价格

 		SNAP-IN MOUNT ALUMINUM ELECTROLYTIC
SI390M16 NTE

获取价格

 		SNAP-IN MOUNT ALUMINUM ELECTROLYTIC
SI390M160 NTE

获取价格

 		SNAP-IN MOUNT ALUMINUM ELECTROLYTIC
SI390M200 NTE

获取价格

 		SNAP-IN MOUNT ALUMINUM ELECTROLYTIC
SI390M25 NTE

获取价格

 		SNAP-IN MOUNT ALUMINUM ELECTROLYTIC
SI390M250 NTE

获取价格

 		SNAP-IN MOUNT ALUMINUM ELECTROLYTIC
SI390M35 NTE

获取价格

 		SNAP-IN MOUNT ALUMINUM ELECTROLYTIC
SI390M450 NTE

获取价格

 		SNAP-IN MOUNT ALUMINUM ELECTROLYTIC
SI390M50 NTE

获取价格

 		SNAP-IN MOUNT ALUMINUM ELECTROLYTIC

与SI3909DV-T1-E3相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证