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SI3865DV

更新时间： 2024-09-14 22:05:03
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 驱动器开关光电二极管
页数 文件大小 规格书
5页 63K
描述
iLoad Switch with Level-Shift

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SI3865DV 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
包装说明：TSOP, TSOP6,.11,37Reach Compliance Code：unknown
风险等级：5.91Is Samacsys：N
驱动器位数：1JESD-30 代码：R-PDSO-G6
JESD-609代码：e0端子数量：6
最大输出电流：1 A封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装代码：TSOP封装等效代码：TSOP6,.11,37
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
电源：1.8/8 V认证状态：Not Qualified
子类别：Peripheral Drivers表面贴装：YES
技术：MOS端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：GULL WING端子节距：0.95 mm
端子位置：DUALBase Number Matches：1

SI3865DV 数据手册

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Si3865DV  
Vishay Siliconix  
New Product  
Load Switch with Level-Shift  
PRODUCT SUMMARY  
VDS2 (V)  
rDS(on) (W)  
ID (A)  
0.080 @ V = 4.5 V  
"2.7  
"2.2  
"1.7  
IN  
0.110 @ V = 2.5 V  
IN  
1.8 to 8  
0.175 @ V = 1.8 V  
IN  
1.8ĆV Rated  
FEATURES  
D 80-mW Low rDS(on) TrenchFETt  
D 1.8 to 8-V Input  
D Low Profile, Small Footprint TSOP-6 Package  
D 3000-V ESD Protection On Input Switch, VON/OFF  
D Adjustable Slew-Rate  
D 1.5 to 8-V Logic Level Control  
DESCRIPTION  
The Si3865DV includes a p- and n-channel MOSFET in a  
single TSORP-6 package. The low on-resistance p-channel  
TrenchFET is tailored for use as a load switch. The  
n-channel, with an external resistor, can be used as a  
level-shift to drive the p-channel load-switch. The n-channel  
MOSFET has internal ESD protection and can be driven by  
logic signals as low as 1.5-V. The Si3865DV operates on  
supply lines from 1.8 to 8-V, and can drive loads up to 2.7 A.  
APPLICATION CIRCUITS  
Switching Variation  
R2 @ V = 2.5 V, R1 = 20 kW  
Si3865DV  
IN  
40  
I
V
= 1 A  
ON/OFF  
L
2, 3  
= 3 V  
4
V
C = 10 mF  
32  
24  
16  
8
OUT  
i
V
IN  
C
o
= 1 mF  
Q2  
t
d(off)  
R1  
C1  
t
f
6
5
6
ON/OFF  
LOAD  
C
o
t
r
t
d(on)  
Q1  
C
i
0
1
0
2
4
6
8
R2  
R2 (kW)  
GND  
R2  
Note: For R2 switching variations with other V /R1  
IN  
combinations See Typical Characteristics  
The Si3865DV is ideally suited for high-side load switching in  
portable applications. The integrated n-channel level-shift  
device saves space by reducing external components. The  
slew rate is set externally so that rise-times can be tailored to  
different load types.  
COMPONENTS  
R1  
R2  
C1  
Pull-Up Resistor  
Typical 10 kW to 1 mW*  
Typical 0 to 100 kW*  
Typical 1000 pF  
Optional Slew-Rate Control  
Optional Slew-Rate Control  
*Minimum R1 value should be at least 10 x R2 to ensure Q1 turn-on.  
Document Number: 70867  
S-60515—Rev. A, 05-Apr-99  
www.vishay.com S FaxBack 408-970-5600  
2-1  
12345

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与SI3865DV相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
SI3865DV-T1-E3 VISHAY

获取价格

 		Buffer/Inverter Based Peripheral Driver, 6A, PDSO6, LEAD FREE, LOW PROFILE, TSOP-6
SI3867DV VISHAY

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SI3867DV_08 VISHAY

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 		P-Channel 20-V (D-S) MOSFET
SI3867DV-E3 VISHAY

获取价格

 		TRANSISTOR 3900 mA, 20 V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TSOP-6, FET General Purpose
SI3867DV-T1 VISHAY

获取价格

 		P-Channel 20-V (D-S) MOSFET
SI3867DV-T1-E3 VISHAY

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 		TRANSISTOR 2500 mA, 30 V, N AND P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, LEAD FREE, TSOP-6, FE
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