SI3867DV

更新时间： 2024-11-20 21:54:55

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描述
P-Channel 20-V (D-S) MOSFET

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SI3867DV 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Transferred	零件包装代码：	TSOP
包装说明：	,	针数：	6
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.06
Is Samacsys：	N	配置：	Single
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	3.9 A	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-609代码：	e0	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	极性/信道类型：	P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	2 W	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	YES	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
Base Number Matches：	1

SI3867DV 数据手册

Si3867DV

Vishay Siliconix

P-Channel 20-V (D-S) MOSFET

FEATURES

PRODUCT SUMMARY

D TrenchFETr Power MOSFET

D PWM Optimized

APPLICATIONS

V_DS(V)

r_DS(on)(W)

I_D(A)

0.051 @ V = -4.5 V

-5.1

-4.5

-3.7

D DC/DC

-20

0.067 @ V = -3.3

- HDD

0.100 @ V = -2.5

- Power Supplies

D Portable Devices Such As Cell Phones, PDA,

DSC, and DVC

(4) S

TSOP-6

Top View

(3) G

3 mm

(1, 2, 5, 6) D

2.85 mm

Ordering Information: Si3867DV-T1

P-Channel MOSFET

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T = 25_C UNLESS OTHERWISE NOTED)

Parameter

Symbol

5 secs

Steady State

Unit

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

-20

"12

= 25_C

= 85_C

-3.9

-2.8

-5.1

-3.7

Continuous Drain Current (T = 150_C)

Pulsed Drain Current

-20

Continuous Diode Current (Diode Conduction)

-1.7

2.0

-0.9

1.1

= 25_C

= 85_C

Maximum Power Dissipation

1.0

0.6

Operating Junction and Storage Temperature Range

T , T

-55 to 150

stg

THERMAL RESISTANCE RATINGS

Parameter

Symbol

Typical

Maximum

Unit

t v 5 sec

Steady State

62.5

110

Maximum Junction-to-Ambient

thJA

thJF

_C/W

Maximum Junction-to-Foot (Drain)

Notes

a. Surface Mounted on 1” x 1” FR4 Board.

Document Number: 72068

S-31988—Rev. B, 13-Oct-03

www.vishay.com

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