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SI3865BDV-T1-GE3

更新时间： 2024-11-21 19:54:35
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 驱动光电二极管接口集成电路驱动器
页数 文件大小 规格书
6页 113K
描述
IC BUF OR INV BASED PRPHL DRVR, PDSO6, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, TSOP-6, Peripheral Driver

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SI3865BDV-T1-GE3 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：TSOP
包装说明：TSSOP, TSOP6,.11,37针数：6
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8542.39.00.01风险等级：5.65
内置保护：TRANSIENT驱动器位数：1
接口集成电路类型：BUFFER OR INVERTER BASED PERIPHERAL DRIVERJESD-30 代码：R-PDSO-G6
JESD-609代码：e3长度：3.05 mm
湿度敏感等级：1功能数量：1
端子数量：6输出电流流向：SOURCE AND SINK
最大输出电流：1 A封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装代码：TSSOP封装等效代码：TSOP6,.11,37
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH
峰值回流温度（摄氏度）：260电源：1.8/8 V
认证状态：Not Qualified座面最大高度：1.1 mm
子类别：Peripheral Drivers最大供电电压：8 V
最小供电电压：1.8 V标称供电电压：2.5 V
表面贴装：YES技术：MOS
端子面层：PURE MATTE TIN端子形式：GULL WING
端子节距：0.95 mm端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：30宽度：1.65 mm
Base Number Matches：1

SI3865BDV-T1-GE3 数据手册

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Si3865BDV  
Vishay Siliconix  
Load Switch with Level-Shift  
FEATURES  
PRODUCT SUMMARY  
•
Halogen-free According to IEC 61249-2-21  
VDS2 (V)  
RDS(on) ()  
ID (A)  
2.9  
Definition  
0.060 at VIN = 4.5 V  
0.100 at VIN = 2.5 V  
0.175 at VIN = 1.8 V  
•
•
•
•
•
•
•
60 mLow RDS(on) TrenchFET®: 1.8 V Rated  
1.8 V to 8 V Input  
1.5 V to 8 V Logic Level Control  
Low Profile, Small Footprint TSOP-6 Package  
3000 V ESD Protection On Input Switch, VON/OFF  
Adjustable Slew-Rate  
1.8 to 8  
2.2  
1.7  
DESCRIPTION  
The Si3865BDV includes a p- and n-channel MOSFET in a  
single TSOP-6 package. The low on-resistance p-channel  
TrenchFET® is tailored for use as a load switch. The  
n-channel, with an external resistor, can be used as a level-  
shift to drive the p-channel load-switch. The n-channel  
MOSFET has internal ESD protection and can be driven by  
logic signals as low as 1.5 V. The Si3865BDV operates on  
supply lines from 1.8 V to 8 V, and can drive loads up to 2.9 A.  
Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC  
APPLICATION CIRCUITS  
Si3865BDV  
40  
I
= 1 A  
ON/OFF  
L
V
= 3 V  
2, 3  
4
C = 10 µF  
o
32  
24  
16  
8
i
C
V
OUT  
V
IN  
= 1 µF  
t
d(off)  
Q2  
t
f
R1  
C1  
6
5
6
ON/OFF  
LOAD  
t
r
C
o
t
d(on)  
Q1  
C
i
0
1
0
2
4
6
8
R2  
R2 (k)  
GND  
R2  
Note: For R2 switching variations with other V /R1  
IN  
combinations See Typical Characteristics  
Switching Variation  
R2 at VIN = 2.5 V, R1 = 20 k  
The Si3865BDV is ideally suited for high-side load switching  
in portable applications. The integrated N-Channel level-shift  
device saves space by reducing external components. The  
slew rate is set externally so that rise-times can be tailored to  
different load types.  
COMPONENTS  
R1  
R2  
C1  
Pull-Up Resistor  
Typical 10 kto 1 M*  
Typical 0 to 100 k*  
Typical 1000 pF  
Optional Slew-Rate Control  
Optional Slew-Rate Control  
* Minimum R1 value should be at least 10 x R2 to ensure Q1 turn-on.  
Document Number: 72848  
S10-2142-Rev. D, 20-Sep-10  
www.vishay.com  
1
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与SI3865BDV-T1-GE3相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
SI3865CDV-T1-E3 VISHAY

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 		Buffer/Inverter Based Peripheral Driver, 1 Driver, 1A, MOS, PDSO6, LEAD FREE, MO-193C, TSO
SI3865CDV-T1-GE3 VISHAY

获取价格

 		Buffer/Inverter Based Peripheral Driver, 1 Driver, PDSO6, HALOGEN FREE AND LEAD FREE, MO-1
SI3865DDV VISHAY

获取价格

 		Analog Circuit, 1 Func, PDSO6, TSOP-6
SI3865DV VISHAY

获取价格

 		iLoad Switch with Level-Shift
SI3865DV-T1-E3 VISHAY

获取价格

 		Buffer/Inverter Based Peripheral Driver, 6A, PDSO6, LEAD FREE, LOW PROFILE, TSOP-6
SI3867DV VISHAY

获取价格

 		P-Channel 20-V (D-S) MOSFET
SI3867DV_08 VISHAY

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 		P-Channel 20-V (D-S) MOSFET
SI3867DV-E3 VISHAY

获取价格

 		TRANSISTOR 3900 mA, 20 V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TSOP-6, FET General Purpose
SI3867DV-T1 VISHAY

获取价格

 		P-Channel 20-V (D-S) MOSFET
SI3867DV-T1-E3 VISHAY

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 		P-Channel 20-V (D-S) MOSFET

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