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SI3585CDV-T1-GE3

更新时间： 2024-09-27 09:26:07
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY PC
页数 文件大小 规格书
16页 235K
描述
N- and P-Channel 20 V (D-S) MOSFET

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SI3585CDV-T1-GE3 技术参数

Samacsys Confidence：3Samacsys Status：Released
Samacsys PartID：331985Samacsys Pin Count：6
Samacsys Part Category：TransistorSamacsys Package Category：SOT23 (6-Pin)
Samacsys Footprint Name：TSOP: 5/6?LEADSamacsys Released Date：2019-10-27 04:55:13
Is Samacsys：YBase Number Matches：1

SI3585CDV-T1-GE3 数据手册

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Si3585CDV  
Vishay Siliconix  
N- and P-Channel 20 V (D-S) MOSFET  
FEATURES  
PRODUCT SUMMARY  
•
Halogen-free According to IEC 61249-2-21  
VDS (V)  
RDS(on) ()  
ID (A)a Qg (Typ.)  
Definition  
TrenchFET® Power MOSFETs  
100 % Rg Tested  
Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC  
0.058 at VGS = 4.5 V  
0.078 at VGS = 2.5 V  
0.195 at VGS = - 4.5 V  
0.316 at VGS = - 2.5 V  
3.9  
•
•
•
N-Channel  
P-Channel  
20  
2.9 nC  
3.3  
- 2.1  
- 20  
1.6 nC  
- 1.7  
APPLICATIONS  
•
•
•
Load Switch for Portable Devices  
DC/DC Converters  
Drivers: Motor, Solenoid, Relay  
TSOP-6  
Top View  
D
1
S
2
G1  
S2  
G2  
D1  
S1  
D2  
1
2
3
6
5
3 mm  
G
2
Marking Code  
EC XXX  
G
1
4
Lot Traceability  
and Date Code  
Part # Code  
2.85 mm  
S
1
D
2
N-Channel MOSFET  
P-Channel MOSFET  
Ordering Information: Si3585CDV-T1-GE3 (Lead (Pb)-free and Halogen-free)  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T = 25 °C, unless otherwise noted)  
A
Parameter  
Symbol  
N-Channel  
P-Channel  
Unit  
VDS  
20  
- 20  
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
V
VGS  
12  
TC = 25 °C  
TC = 70 °C  
TA = 25 °C  
TA = 70 °C  
3.9  
3.1  
- 2.1  
- 1.7  
- 1.9b, c  
- 1.5b, c  
- 5  
ID  
Continuous Drain Current (TJ = 150 °C)  
3.5b, c  
2.8b, c  
12  
A
IDM  
IS  
Pulsed Drain Current (t = 300 µs)  
Source Drain Current Diode Current  
TC = 25 °C  
1.2  
- 1.1  
0.9b, c  
1.4  
- 0.9b, c  
1.3  
TA = 25 °C  
TC = 25 °C  
T
C = 70 °C  
0.9  
0.8  
PD  
Maximum Power Dissipation  
W
1.1b, c  
0.7b, c  
1.1b, c  
0.7b, c  
TA = 25 °C  
TA = 70 °C  
TJ, Tstg  
- 55 to 150  
Operating Junction and Storage Temperature Range  
°C  
THERMAL RESISTANCE RATINGS  
N-Channel  
Typ. Max.  
93  
75  
P-Channel  
Typ. Max.  
Parameter  
Maximum Junction-to-Ambientb, d  
Symbol  
Unit  
t 5 s  
RthJA  
110  
90  
97  
78  
115  
95  
°C/W  
RthJF  
Maximum Junction-to-Foot (Drain)  
Steady State  
Notes:  
a. Based on TC = 25 °C.  
b. Surface mounted on 1" x 1" FR4 board.  
c. t = 5 s.  
d. Maximum under steady state conditions is 150 °C/W for N-Channel and 155 °C/W for P-Channel.  
Document Number: 67470  
S11-0613-Rev. A, 04-Apr-11  
www.vishay.com  
1
This document is subject to change without notice.  
THE PRODUCTS DESCRIBED HEREIN AND THIS DOCUMENT ARE SUBJECT TO SPECIFIC DISCLAIMERS, SET FORTH AT www.vishay.com/doc?91000  
1234567...16

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SI3585CDV-T1-GE3 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
SI3588DV-T1-E3 VISHAY

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 		N- and P-Channel 20-V (D-S) MOSFET
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 		TRANSISTOR 2000 mA, 20 V, 2 CHANNEL, N AND P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TSOP-6, FE
SI3585DV-T1 VISHAY

获取价格

 		Small Signal Field-Effect Transistor, 2A I(D), 20V, 2-Element, N-Channel and P-Channel, Si
SI3585DV-T1-E3 VISHAY

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 		TRANSISTOR 2000 mA, 20 V, 2 CHANNEL, N AND P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, ROHS COMPL
SI3585DV-T1-GE3 VISHAY

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 		TRANSISTOR 2000 mA, 20 V, 2 CHANNEL, N AND P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, HALOGEN FR
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