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| 是否无铅： | 不含铅 | 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | TSOP | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6 |
| 针数： | 6 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.83 |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 20 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 3.3 A | 最大漏极电流 (ID)： | 3 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.084 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G6 | JESD-609代码： | e3 |
| 湿度敏感等级： | 1 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 6 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 | 极性/信道类型： | P-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 1.4 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | Other Transistors | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | Matte Tin (Sn) | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | 30 |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| SI3805DV-T1-GE3 | VISHAY |
获取价格 |
P-CH TSOP-6 20V 108MOHM @ 4.5V W/ 0.5A SCHOTTKY DIODE - Tape and Reel |
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| SI3812DV | VISHAY |
获取价格 |
N-Channel 20-V (D-S) MOSFET With Schottky Diode |
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| SI3812DV_08 | VISHAY |
获取价格 |
N-Channel 20-V (D-S) MOSFET With Schottky Diode |
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| SI3812DV-T1 | VISHAY |
获取价格 |
N-Channel 20-V (D-S) MOSFET With Schottky Diode |
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| SI3812DV-T1-E3 | VISHAY |
获取价格 |
MOSFET N-CH 20V 2A 6-TSOP |
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| SI3831DV | VISHAY |
获取价格 |
Bi-Directional P-Channel MOSFET/Power Switch |
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| SI3831DV-E3 | VISHAY |
获取价格 |
IC 8 A BUF OR INV BASED PRPHL DRVR, PDSO6, TSOP-6, Peripheral Driver |
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| SI3831DV-T1 | VISHAY |
获取价格 |
Buffer/Inverter Based Peripheral Driver, 8A, PDSO6, TSOP-6 |
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| SI3831DV-T1-GE3 | VISHAY |
获取价格 |
IC PWR SW BI-DIR PCHAN 6TSOP |
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| SI3850ADV | VISHAY |
获取价格 |
Complementary MOSFET Half-Bridge (N- and P-Channel) |
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