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SI3585DV-T1-GE3 PDF预览

SI3585DV-T1-GE3

更新时间： 2024-09-27 14:31:03
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
8页 134K
描述
TRANSISTOR 2000 mA, 20 V, 2 CHANNEL, N AND P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, TSOP-6, FET General Purpose Small Signal

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SI3585DV-T1-GE3 技术参数

是否无铅：不含铅是否Rohs认证：符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：TSOP
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6针数：6
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
风险等级：5.16Is Samacsys：N
配置：SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：20 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：2 A最大漏极电流 (ID)：2 A
最大漏源导通电阻：0.125 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：R-PDSO-G6JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：2
端子数量：6工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260极性/信道类型：N-CHANNEL AND P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：1.15 W认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：YES
端子面层：PURE MATTE TIN端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：30
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

SI3585DV-T1-GE3 数据手册

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Si3585DV  
Vishay Siliconix  
N- and P-Channel 20-V (D-S) MOSFET  
FEATURES  
PRODUCT SUMMARY  
•
Halogen-free According to IEC 61249-2-21  
VDS (V)  
RDS(on) (Ω)  
ID (A)  
2.4  
Definition  
0.125 at VGS = 4.5 V  
0.200 at VGS = 2.5 V  
0.200 at VGS = - 4.5 V  
0.340 at VGS = - 2.5 V  
•
•
TrenchFET® Power MOSFETs  
Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC  
N-Channel  
P-Channel  
20  
1.8  
- 1.8  
- 1.2  
- 20  
TSOP-6  
Top View  
S
2
D
1
G1  
S2  
G2  
D1  
S1  
D2  
1
2
3
6
G
3 mm  
2
5
4
G
1
2.85 mm  
D
2
S
1
Ordering Information: Si3585DV-T1-E3 (Lead (Pb)-free)  
Si3585DV-T1-GE3 (Lead (Pb)-free and Halogen-free)  
P-Channel MOSFET  
N-Channel MOSFET  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS T = 25 °C, unless otherwise noted  
A
N-Channel  
P-Channel  
Parameter  
Symbol  
10 s  
Steady State  
10 s  
Steady State  
- 20  
Unit  
VDS  
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
20  
V
VGS  
12  
12  
TA = 25 °C  
TA = 70 °C  
2.4  
1.7  
2.0  
1.4  
8
- 1.8  
- 1.3  
- 1.5  
Continuous Drain Current (TJ = 150 °C)a  
ID  
- 1.2  
A
IDM  
IS  
Pulsed Drain Current  
- 7  
Continuous Source Current (Diode Conduction)a  
1.05  
1.15  
0.59  
0.75  
0.83  
0.53  
- 1.05  
1.15  
- 0.75  
0.83  
TA = 25 °C  
TA = 70 °C  
Maximum Power Dissipationa  
PD  
W
0.59  
0.53  
TJ, Tstg  
Operating Junction and Storage Temperature Range  
- 55 to 150  
°C  
THERMAL RESISTANCE RATINGS  
N-Channel  
P-Channel  
Parameter  
Symbol  
Typ.  
93  
Max.  
Typ.  
93  
Max.  
110  
150  
90  
Unit  
t ≤ 10 s  
110  
150  
90  
Maximum Junction-to-Ambienta  
RthJA  
Steady State  
Steady State  
130  
75  
130  
75  
°C/W  
RthJF  
Maximum Junction-to-Foot (Drain)  
Notes:  
a. Surface Mounted on 1" x 1" FR4 board.  
Document Number: 71184  
S09-2275-Rev. D, 02-Nov-09  
www.vishay.com  
1
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SI3585DV-T1-GE3 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
SI3585DV-T1-E3 VISHAY

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