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SI3590DV

更新时间： 2024-11-20 22:43:15
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
8页 66K
描述
N- and P-Channel 30-V (D-S) MOSFET

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SI3590DV 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Active
包装说明：,Reach Compliance Code：compliant
风险等级：5.03Is Samacsys：N
最大漏极电流 (Abs) (ID)：1.7 AFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-609代码：e0工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C极性/信道类型：N-CHANNEL AND P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：1.15 W子类别：Other Transistors
表面贴装：YES端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
Base Number Matches：1

SI3590DV 数据手册

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Si3590DV  
Vishay Siliconix  
New Product  
N- and P-Channel 30-V (D-S) MOSFET  
FEATURES  
PRODUCT SUMMARY  
D TrenchFETr Power MOSFET  
VDS (V)  
rDS(on) (W)  
ID (A)  
D Ultra Low rDS(on) N- and P-Channel for High  
Efficiency  
0.077 @ V = 4.5 V  
3
2
GS  
D Optimized for High-Side/Low-Side  
D Minimized Conduction Losses  
APPLICATIONS  
N-Channel  
P-Channel  
30  
0.120 @ V = 2.5 V  
GS  
0.170 @ V  
= -4.5 V  
= -2.5 V  
-2  
GS  
GS  
-30  
0.300 @ V  
-1.2  
D Portable Devices Including PDAs, Cellular  
Phones and Pagers  
D
1
S
2
TSOP-6  
Top View  
G1  
S2  
G2  
D1  
S1  
D2  
1
2
3
6
G
2
G
1
3 mm  
5
4
S
1
D
2
2.85 mm  
N-Channel MOSFET  
P-Channel MOSFET  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T = 25_C UNLESS OTHERWISE NOTED)  
A
N-Channel  
P-Channel  
10 secs Steady State  
10 secs  
Steady State  
Parameter  
Symbol  
Unit  
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
V
30  
-30  
DS  
V
V
GS  
"12  
"12  
T
= 25_C  
= 70_C  
3
2.5  
2.0  
- 2  
-1.7  
-1.3  
A
a
Continuous Drain Current (T = 150_C)  
I
J
D
T
A
2.3  
-1.6  
A
Pulsed Drain Current  
I
8
-8  
DM  
a
Continuous Source Current (Diode Conduction)  
I
1.05  
1.15  
0.70  
0.75  
0.83  
0.53  
-1.05  
1.15  
0.70  
-0.75  
0.83  
0.53  
S
T
A
= 25_C  
= 70_C  
a
Maximum Power Dissipation  
P
W
D
T
A
Operating Junction and Storage Temperature Range  
T , T  
-55 to 150  
_C  
J
stg  
THERMAL RESISTANCE RATINGS  
N-Channel  
P-Channel  
Typ  
Max  
Typ  
Max  
Parameter  
Symbol  
Unit  
t v 10 sec  
93  
130  
75  
110  
150  
90  
93  
130  
75  
110  
150  
90  
a
Maximum Junction-to-Ambient  
R
thJA  
thJF  
Steady State  
_C/W  
Maximum Junction-to-Foot (Drain)  
Steady State  
R
Notes  
a. Surface Mounted on 1” x 1” FR4 Board.  
Document Number: 72032  
S-21979—Rev. A, 04-Nov-02  
www.vishay.com  
1
12345678

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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