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| 是否无铅： | 不含铅 | 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | SC-70 | 包装说明： | SMALL OUTLINE, S-XDSO-N6 |
| 针数： | 6 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.82 |
| Is Samacsys： | N | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 30 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 4.5 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 4.5 A | 最大漏源导通电阻： | 0.061 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 代码： | S-XDSO-N6 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 6 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | UNSPECIFIED | 封装形状： | SQUARE |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 6.5 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | FET General Purpose Power |
| 表面贴装： | YES | 端子形式： | NO LEAD |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | 40 |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| SI3812DV | VISHAY |
功能相似  |
N-Channel 20-V (D-S) MOSFET With Schottky Diode |
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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| SiA817EDJ | VISHAY |
获取价格 |
P-Channel 30 V (D-S) MOSFET with Schottky Diode |
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| SIA906EDJ | VISHAY |
获取价格 |
Dual N-Channel 20-V (D-S) MOSFET |
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| SIA906EDJ-T1-GE3 | VISHAY |
获取价格 |
Dual N-Channel 20-V (D-S) MOSFET |
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| SIA907EDJT | VISHAY |
获取价格 |
Dual P-Channel 20 V (D-S) MOSFET |
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| SIA907EDJT-T1-GE3 | VISHAY |
获取价格 |
Dual P-Channel 20 V (D-S) MOSFET |
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| SIA910EDJ | VISHAY |
获取价格 |
Dual N-Channel 12-V (D-S) MOSFET |
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| SIA910EDJ-T1-GE3 | VISHAY |
获取价格 |
Dual N-Channel 12-V (D-S) MOSFET |
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| SIA911ADJ | VISHAY |
获取价格 |
Dual P-Channel 20-V (D-S) MOSFET |
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| SIA911ADJ-T1-GE3 | VISHAY |
获取价格 |
TRANSISTOR 3.2 A, 20 V, 0.116 ohm, 2 CHANNEL, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, HALOGEN FREE A |
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| SIA911DJ |
获取价格 |
Dual P-Channel 20-V (D-S) MOSFET |
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