5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > 晶体管 > 小信号场效应晶体管> SIA814DJ-T1-GE3
SIA814DJ-T1-GE3 PDF预览

SIA814DJ-T1-GE3

更新时间： 2024-09-27 09:25:39
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 晶体肖特基二极管小信号场效应晶体管开关
页数 文件大小 规格书
12页 245K
描述
N-Channel 30-V (D-S) MOSFET with Trench Schottky Diode

阅读下载

中文翻译

获取价格

SIA814DJ-T1-GE3 技术参数

是否无铅： 不含铅生命周期：Obsolete
零件包装代码：SC-70包装说明：SMALL OUTLINE, S-XDSO-N6
针数：6Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99风险等级：5.82
Is Samacsys：N配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：30 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：4.5 A
最大漏极电流 (ID)：4.5 A最大漏源导通电阻：0.061 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：S-XDSO-N6
元件数量：1端子数量：6
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：UNSPECIFIED封装形状：SQUARE
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：6.5 W
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：YES端子形式：NO LEAD
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：40
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

SIA814DJ-T1-GE3 数据手册

 浏览型号SIA814DJ-T1-GE3的Datasheet PDF文件第2页浏览型号SIA814DJ-T1-GE3的Datasheet PDF文件第3页浏览型号SIA814DJ-T1-GE3的Datasheet PDF文件第4页浏览型号SIA814DJ-T1-GE3的Datasheet PDF文件第5页浏览型号SIA814DJ-T1-GE3的Datasheet PDF文件第6页浏览型号SIA814DJ-T1-GE3的Datasheet PDF文件第7页 
New Product  
SiA814DJ  
Vishay Siliconix  
N-Channel 30-V (D-S) MOSFET with Trench Schottky Diode  
FEATURES  
PRODUCT SUMMARY  
•
•
•
Halogen-free  
ID (A)a  
4.5  
VDS (V)  
RDS(on) (Ω)  
Qg (Typ.)  
LITTLE FOOT® Plus Schottky Power MOSFET  
New Thermally Enhanced PowerPAK®  
SC-70 Package  
0.061 at VGS = 10 V  
0.072 at VGS = 4.5 V  
0.110 at VGS = 2.5 V  
RoHS  
30  
3.2 nC  
4.5  
COMPLIANT  
4.5  
- Small Footprint Area  
- Low On-Resistance  
- Thin 0.75 mm profile  
SCHOTTKY PRODUCT SUMMARY  
Vf (V)  
VKA (V)  
IF (A)a  
Diode Forward Voltage  
APPLICATIONS  
DC/DC Converter for Portable Devices  
• Load Switch for Portable Devices  
30  
0.56 at 1 A  
2
•
PowerPAK SC-70-6 Dual  
D
K
1
A
Marking Code  
2
NC  
3
D
G B X  
X X X  
K
Part # code  
G
0.75 mm  
K
D
Lot Traceability  
6
and Date code  
G
5
2.05 mm  
2.05 mm  
S
S
4
A
N-Channel MOSFET  
Ordering Information: SiA814DJ-T1-GE3 (Lead (Pb)-free and Halogen-free)  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS T = 25 °C, unless otherwise noted  
A
Parameter  
Symbol  
VDS  
Limit  
30  
Unit  
Drain-Source Voltage (MOSFET)  
Reverse Voltage (Schottky)  
Gate-Source Voltage (MOSFET)  
VKA  
VGS  
30  
V
12  
TC = 25 °C  
C = 70 °C  
4.5a  
4.5a  
4.3b, c  
3.4b, c  
15  
4.5a  
1.6b, c  
2b  
T
Continuous Drain Current (TJ = 150 °C) (MOSFET)  
ID  
TA = 25 °C  
TA = 70 °C  
IDM  
IS  
Pulsed Drain Current (MOSFET)  
A
TC = 25 °C  
Continuous Source-Drain Diode Current  
(MOSFET Diode Conduction)  
TA = 25 °C  
IF  
Average Forward Current (Schottky)  
Pulsed Forward Current (Schottky)  
IFM  
3
T
T
T
C = 25 °C  
C = 70 °C  
A = 25 °C  
6.5  
5
Maximum Power Dissipation (MOSFET)  
Maximum Power Dissipation (Schottky)  
1.9b, c  
1.2b, c  
6.8  
TA = 70 °C  
TC = 25 °C  
TC = 70 °C  
PD  
W
4.3  
1.6b, c  
1.0b, c  
TA = 25 °C  
TA = 70 °C  
TJ, Tstg  
Operating Junction and Storage Temperature Range  
Soldering Recommendations (Peak Temperature)d, e  
- 55 to 150  
260  
°C  
Document Number: 68672  
S-81176-Rev. A, 26-May-08  
www.vishay.com  
1
1234567...12

中文翻译

下载PDF

SIA814DJ-T1-GE3 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
SI3812DV VISHAY

功能相似

 N-Channel 20-V (D-S) MOSFET With Schottky Diode

与SIA814DJ-T1-GE3相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
SiA817EDJ VISHAY

获取价格

 		P-Channel 30 V (D-S) MOSFET with Schottky Diode
SIA906EDJ VISHAY

获取价格

 		Dual N-Channel 20-V (D-S) MOSFET
SIA906EDJ-T1-GE3 VISHAY

获取价格

 		Dual N-Channel 20-V (D-S) MOSFET
SIA907EDJT VISHAY

获取价格

 		Dual P-Channel 20 V (D-S) MOSFET
SIA907EDJT-T1-GE3 VISHAY

获取价格

 		Dual P-Channel 20 V (D-S) MOSFET
SIA910EDJ VISHAY

获取价格

 		Dual N-Channel 12-V (D-S) MOSFET
SIA910EDJ-T1-GE3 VISHAY

获取价格

 		Dual N-Channel 12-V (D-S) MOSFET
SIA911ADJ VISHAY

获取价格

 		Dual P-Channel 20-V (D-S) MOSFET
SIA911ADJ-T1-GE3 VISHAY

获取价格

 		TRANSISTOR 3.2 A, 20 V, 0.116 ohm, 2 CHANNEL, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, HALOGEN FREE A
SIA911DJ

获取价格

 		Dual P-Channel 20-V (D-S) MOSFET

与SIA814DJ-T1-GE3相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证