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SIA911DJ-T1-E3

更新时间： 2024-09-27 20:04:07

品牌	Logo	应用领域
威世 - VISHAY		开关脉冲光电二极管晶体管
页数	文件大小	规格书
7页	114K
描述
Power Field-Effect Transistor, 3.6A I(D), 20V, 0.185ohm, 2-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, ROHS COMPLIANT, SC-70, POWERPAK-6

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SIA911DJ-T1-E3 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	SC-70
包装说明：	SMALL OUTLINE, S-PDSO-N6	针数：	6
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.35	配置：	SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	20 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	4.5 A
最大漏极电流 (ID)：	3.6 A	最大漏源导通电阻：	0.185 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	S-PDSO-N6
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	1
元件数量：	2	端子数量：	6
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	SQUARE
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	260
极性/信道类型：	P-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	6.5 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	8 A	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	YES
端子面层：	MATTE TIN	端子形式：	NO LEAD
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	40
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

SIA911DJ-T1-E3 数据手册

SiA911DJ

Vishay Siliconix

Dual P-Channel 20-V (D-S) MOSFET

FEATURES

PRODUCT SUMMARY

•

Halogen-free

V_DS(V)

R_DS(on)(Ω)

I_D(A)

Q_g(Typ.)

TrenchFET^®Power MOSFET

- 4.5^a

0.094 at V_GS= - 4.5 V

0.131 at V_GS= - 2.5 V

0.185 at V_GS= - 1.8 V

New Thermally Enhanced PowerPAK^®

SC-70 Package

RoHS

- 20

4.9 nC

COMPLIANT

- Small Footprint Area

- Low On-Resistance

APPLICATIONS

•

Load Switch, PA Switch and Battery Switch for Portable

Devices

PowerPAK SC-70-6 Dual

S₁

Marking Code

G₁

D₁

D₂

D C X

X X X

Part # code

D₁

D₂

Lot Traceability

and Date code

G₂

2.05 mm

S₂

Ordering Information:

P-Channel MOSFET P-Channel MOSFET

SiA911DJ-T1-GE3 (Lead (Pb)-free and Halogen-free)

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS T = 25 °C, unless otherwise noted

Parameter

Symbol

Limit

- 20

Unit

V_DS

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

V_GS

- 4.5^a

- 3.6^{b, c}

- 2.9^{b, c}

- 8

- 4.5^a

- 1.6^{b, c}

6.5

_C= 25 °C

_C= 70 °C

Continuous Drain Current (T_J= 150 °C)

I_D

T_A= 25 °C

T_A= 70 °C

I_DM

I_S

Pulsed Drain Current

_C= 25 °C

T_A= 25 °C

_C= 25 °C

Continuous Source-Drain Diode Current

T_C= 70 °C

T_A= 25 °C

T_A= 70 °C

P_D

Maximum Power Dissipation

1.9^{b, c}

1.2^{b, c}

T_J, T_stg

Operating Junction and Storage Temperature Range

Soldering Recommendations (Peak Temperature)^{d, e}

- 55 to 150

260

°C

THERMAL RESISTANCE RATINGS

Parameter

Maximum Junction-to-Ambient^{b, f}

Maximum Junction-to-Case (Drain)

Symbol

R_thJA

Typical

Maximum

Unit

t ≤ 5 s

Steady State

°C/W

R_thJC

12.5

Notes:

a. Package limited.

b. Surface Mounted on 1" x 1" FR4 board.

c. t = 5 s.

d. See Solder Profile (http://www.vishay.com/ppg?73257). The PowerPAK SC-70 is a leadless package. The end of the lead terminal is exposed

copper (not plated) as a result of the singulation process in manufacturing. A solder fillet at the exposed copper tip cannot be guaranteed and

is not required to ensure adequate bottom side solder interconnection.

e. Rework Conditions: manual soldering with a soldering iron is not recommended for leadless components.

f. Maximum under Steady State conditions is 110 °C/W.

Document Number: 74329

S-80437-Rev. C, 03-Mar-08

www.vishay.com

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型号	品牌	替代类型	描述	数据表
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SIA912DJ-T1-GE3	VISHAY	获取价格	MOSFET N-CH DL 12V PWRPAK SC70-6
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SIA913ADJ	VISHAY	获取价格	Dual P-Channel 12-V (D-S) MOSFET
SIA913ADJ-T1-GE3	VISHAY	获取价格	TRANSISTOR 4300 mA, 12 V, 2 CHANNEL, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, HELOGEN FREE AND
SIA913DJ-T1-E3	VISHAY	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 4.3A I(D), 12V, 0.07ohm, 2-Element, P-Channel, Silicon, Met
SIA914ADJ-T1-GE3	VISHAY	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 4.5A I(D), 20V, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal
SIA914DJ-T1-E3	VISHAY	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 4.5A I(D), 20V, 0.053ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Me

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