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SIA911ADJ-T1-GE3

更新时间： 2024-09-27 21:15:07

品牌	Logo	应用领域
威世 - VISHAY		开关脉冲晶体管
页数	文件大小	规格书
9页	263K
描述
TRANSISTOR 3.2 A, 20 V, 0.116 ohm, 2 CHANNEL, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, LEADLESS, SC-70, POWERPAK-6, FET General Purpose Power

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SIA911ADJ-T1-GE3 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Not Recommended	零件包装代码：	SC-70
包装说明：	SMALL OUTLINE, S-XDSO-N6	针数：	6
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.36	外壳连接：	DRAIN
配置：	SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	20 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	4.5 A	最大漏极电流 (ID)：	3.2 A
最大漏源导通电阻：	0.116 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	S-XDSO-N6	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	1	元件数量：	2
端子数量：	6	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	UNSPECIFIED
封装形状：	SQUARE	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	260	极性/信道类型：	P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	6.5 W	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	8 A
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	YES	端子面层：	Matte Tin (Sn)
端子形式：	NO LEAD	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	40	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

SIA911ADJ-T1-GE3 数据手册

New Product

SiA911ADJ

Vishay Siliconix

Dual P-Channel 20-V (D-S) MOSFET

FEATURES

PRODUCT SUMMARY

•

Halogen-free

V_DS(V)

R_DS(on)(Ω)

I_D(A)

Q_g(Typ.)

TrenchFET^®Power MOSFET

- 4.5^a

0.116 at V_GS= - 4.5 V

0.155 at V_GS= - 2.5 V

0.205 at V_GS= - 1.8 V

New Thermally Enhanced PowerPAK^®

SC-70 Package

RoHS

- 20

4.9 nC

COMPLIANT

- Small Footprint Area

- Low On-Resistance

APPLICATIONS

PowerPAK SC-70-6 Dual

•

Load Switch, PA Switch and Battery Switch for Portable

Devices

S₁

Marking Code

G₁

D₁

D G X

D₂

Part # Code

X X X

D₁

D₂

Lot Traceability

and Date Code

G₂

2.05 mm

S₂

Ordering Information: SiA911ADJ-T1-GE3 (Lead (Pb)-free and Halogen-free)

P-Channel MOSFET P-Channel MOSFET

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS T = 25 °C, unless otherwise noted

Parameter

Symbol

Limit

- 20

Unit

V_DS

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

V_GS

- 4.5^a

- 3.2^{b, c}

- 2.6^{b, c}

- 8

- 4.5^a

- 1.5^{b, c}

6.5

_C= 25 °C

_C= 70 °C

Continuous Drain Current (T_J= 150 °C)

I_D

T_A= 25 °C

T_A= 70 °C

I_DM

I_S

Pulsed Drain Current

_C= 25 °C

T_A= 25 °C

_C= 25 °C

Continuous Source-Drain Diode Current

T_C= 70 °C

T_A= 25 °C

T_A= 70 °C

4.2

P_D

Maximum Power Dissipation

1.8^{b, c}

1.1^{b, c}

T_J, T_stg

Operating Junction and Storage Temperature Range

Soldering Recommendations (Peak Temperature)^{d, e}

- 55 to 150

260

°C

THERMAL RESISTANCE RATINGS

Parameter

Maximum Junction-to-Ambient^{b, f}

Maximum Junction-to-Case (Drain)

Symbol

R_thJA

Typical

Maximum

Unit

t ≤ 5 s

Steady State

°C/W

R_thJC

Notes:

a. Package limited.

b. Surface Mounted on 1" x 1" FR4 board.

c. t = 5 s.

d. See Solder Profile (http://www.vishay.com/ppg?73257). The PowerPAK SC-70 is a leadless package. The end of the lead terminal is exposed

copper (not plated) as a result of the singulation process in manufacturing. A solder fillet at the exposed copper tip cannot be guaranteed and

is not required to ensure adequate bottom side solder interconnection.

e. Rework Conditions: manual soldering with a soldering iron is not recommended for leadless components.

f. Maximum under Steady State conditions is 110 °C/W.

Document Number: 68968

S-82481-Rev. A, 13-Oct-08

www.vishay.com

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SIA911ADJ-T1-GE3 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
SIA911DJ-T1-E3	VISHAY	类似代替	Power Field-Effect Transistor, 3.6A I(D), 20V, 0.185ohm, 2-Element, P-Channel, Silicon, Me
SIA911EDJ-T1-GE3	VISHAY	类似代替	Small Signal Field-Effect Transistor, P-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET,

与SIA911ADJ-T1-GE3相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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SIA911DJ-T1-E3	VISHAY	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 3.6A I(D), 20V, 0.185ohm, 2-Element, P-Channel, Silicon, Me
SIA911ED	VISHAY	获取价格	Dual P-Channel 20-V (D-S) MOSFET
SIA911EDJ	VISHAY	获取价格	Dual P-Channel 20-V (D-S) MOSFET
SIA911EDJ-T1-GE3	VISHAY	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, P-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET,
SIA912DJ-T1-GE3	VISHAY	获取价格	MOSFET N-CH DL 12V PWRPAK SC70-6
SIA913AD	VISHAY	获取价格	Dual P-Channel 12-V (D-S) MOSFET
SIA913ADJ	VISHAY	获取价格	Dual P-Channel 12-V (D-S) MOSFET
SIA913ADJ-T1-GE3	VISHAY	获取价格	TRANSISTOR 4300 mA, 12 V, 2 CHANNEL, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, HELOGEN FREE AND
SIA913DJ-T1-E3	VISHAY	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 4.3A I(D), 12V, 0.07ohm, 2-Element, P-Channel, Silicon, Met

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