FDC6304P

更新时间： 2024-09-14 22:49:03

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飞兆/仙童 - FAIRCHILD		晶体小信号场效应晶体管开关光电二极管
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4页	77K
描述
Digital FET, Dual P-Channel

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FDC6304P 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Transferred	零件包装代码：	SSOT
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6	针数：	6
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.29.00.95	风险等级：	5.7
Is Samacsys：	N	配置：	SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	25 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	0.46 A
最大漏极电流 (ID)：	0.46 A	最大漏源导通电阻：	1.5 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	R-PDSO-G6
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	1
元件数量：	2	端子数量：	6
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	260
极性/信道类型：	P-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	0.9 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	YES	端子面层：	Matte Tin (Sn)
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

FDC6304P 数据手册

July 1997

FDC6304P

Digital FET, Dual P-Channel

General Description

Features

-25 V, -0.46 A continuous, -1.0 A Peak.

These P-Channel enhancement mode field effect transistor are

produced using Fairchild's proprietary, high cell density, DMOS

technology. This very high density process is tailored to minimize

on-state resistance at low gate drive conditions. This device is

designed especially for application in battery power applications

such as notebook computers and cellular phones. This device

has excellent on-state resistance even at gate drive voltages as

low as 2.5 volts.

R_DS(ON)= 1.5 W @ V_GS= -2.7 V

R_DS(ON)= 1.1 W @ V_GS= -4.5 V.

Very low level gate drive requirements allowing direct

operation in 3V circuits. V_GS(th)< 1.5 V.

Gate-Source Zener for ESD ruggedness.

>6kV Human Body Model.

SuperSOT^TM-8

SuperSOT^TM-6

SOT-23

SO-8

SOIC-16

SOT-223

Mark: .304

Absolute Maximum Ratings T_A= 25^oC unless other wise noted

Symbol Parameter

FDC6304P

Units

V_DSS

V_GSS

I_D

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

Drain Current

-25

-8

- Continuous

- Pulsed

-0.46

-1

Maximum Power Dissipation

(Note 1a)

(Note 1b)

0.9

P_D

0.7

T_J,T_STG

ESD

Operating and Storage Temperature Range

-55 to 150

°C

Electrostatic Discharge Rating MIL-STD-883D

Human Body Model (100pf / 1500 Ohm)

6.0

THERMAL CHARACTERISTICS

Thermal Resistance, Junction-to-Ambient

Thermal Resistance, Junction-to-Case

(Note 1a)

(Note 1)

140

°C/W

R_q_JA

R_q_JC

FDC6304P Rev.D

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
FDC6304PD84Z	FAIRCHILD	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 0.48A I(D), 25V, 2-Element, P-Channel, Silicon, Meta
FDC6304PD87Z	FAIRCHILD	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 0.46A I(D), 25V, 2-Element, P-Channel, Silicon, Meta
FDC6304PS62Z	FAIRCHILD	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 0.48A I(D), 25V, 2-Element, P-Channel, Silicon, Meta
FDC6305	FAIRCHILD	获取价格	Dual N-Channel 2.5V Specified PowerTrenchTM MOSFET
FDC6305N	FAIRCHILD	获取价格	Dual N-Channel 2.5V Specified PowerTrenchTM MOSFET
FDC6305N	ONSEMI	获取价格	双 N 沟道，PowerTrench® MOSFET，2.5V 指定，20V，2.7A，8
FDC6306P	FAIRCHILD	获取价格	Dual P-Channel 2.5V Specified PowerTrench⑩ MO
FDC6306P	ONSEMI	获取价格	双 P 沟道，PowerTrench® MOSFET，2.5V 指定，-20V，-1.9A
FDC6306P_NL	FAIRCHILD	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 1.9A I(D), 20V, 2-Element, P-Channel, Silicon, Metal
FDC6306PD87Z	FAIRCHILD	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 1.9A I(D), 20V, 2-Element, P-Channel, Silicon, Metal

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