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FDC6305N PDF预览

FDC6305N

更新时间： 2024-11-10 11:13:15
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI PC开关光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
8页 327K
描述
双 N 沟道，PowerTrench® MOSFET，2.5V 指定，20V，2.7A，80mΩ

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FDC6305N 技术参数

是否无铅： 不含铅生命周期：Active
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.29.00.95
Factory Lead Time：10 weeks风险等级：0.95
Samacsys Confidence：3Samacsys Status：Released
Samacsys PartID：5353Samacsys Pin Count：6
Samacsys Part Category：Integrated CircuitSamacsys Package Category：SOT23 (6-Pin)
Samacsys Footprint Name：SSOT 6LSamacsys Released Date：2015-04-16 09:48:08
Is Samacsys：N配置：SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：20 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：2.7 A
最大漏极电流 (ID)：2.7 A最大漏源导通电阻：0.08 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-PDSO-G6
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：2端子数量：6
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
最低工作温度：-55 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：0.96 W认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：YES
端子面层：Tin (Sn)端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

FDC6305N 数据手册

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DATA SHEET  
www.onsemi.com  
MOSFET – Dual, N-Channel,  
POWERTRENCH)  
V
R
MAX  
I MAX  
D
DSS  
DS(ON)  
20 V  
0.08 W @ 4.5 V  
0.12 W @ 2.5 V  
2.7 A  
2.5 V Specified  
FDC6305N  
D2  
S1  
D1  
General Description  
These N−Channel low threshold 2.5 V specified MOSFETs are  
produced using onsemi’s advanced POWERTRENCH process that  
has been especially tailored to minimize on−state resistance and yet  
maintain low gate charge for superior switching performance.  
G2  
S2  
G1  
TSOT23 6−Lead  
SUPERSOT−6  
CASE 419BL  
Features  
• N−Channel 2.7 A, 20 V  
MARKING DIAGRAM  
R
R
= 0.08 W @ V = 4.5 V  
GS  
DS(ON)  
= 0.12 W @ V = 2.5 V  
DS(ON)  
GS  
• Fast Switching Speed  
305 MG  
• Low Gate Charge (3.5 nC Typical)  
G
• High Performance Trench Technology for Extremely Low R  
DS(ON)  
1
• SUPERSOTt−6 Package: Small Footprint (72% Smaller than  
Standard SO−8); Low Profile (1 mm Thick)  
• This is a Pb−Free Device  
305 = Specific Device Code  
M
= Assembly Operation Month  
G
= Pb−Free Package  
(Note: Microdot may be in either location)  
Applications  
• DC/DC Converter  
• Load Switch  
• Motor Driving  
PINOUT  
4
5
3
2
1
6
ORDERING INFORMATION  
†
Device  
FDC6305N  
Package  
Shipping  
3000 /  
Tape & Reel  
TSOT−23−6  
(Pb−free)  
†For information on tape and reel specifications,  
including part orientation and tape sizes, please  
refer to our Tape and Reel Packaging Specification  
Brochure, BRD8011/D.  
© Semiconductor Components Industries, LLC, 1999  
1
Publication Order Number:  
February, 2022 − Rev. 3  
FDC6305N/D  
12345678

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FDC6305N 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
FDC6561AN ONSEMI

类似代替

 双 N 沟道 PowerTrench® MOSFET，逻辑电平，30V，2.5A，95mΩ

与FDC6305N相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
FDC6306P FAIRCHILD

获取价格

 		Dual P-Channel 2.5V Specified PowerTrench⑩ MO
FDC6306P ONSEMI

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 		双 P 沟道，PowerTrench® MOSFET，2.5V 指定，-20V，-1.9A
FDC6306P_NL FAIRCHILD

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 		Small Signal Field-Effect Transistor, 1.9A I(D), 20V, 2-Element, P-Channel, Silicon, Metal
FDC6306PD87Z FAIRCHILD

获取价格

 		Small Signal Field-Effect Transistor, 1.9A I(D), 20V, 2-Element, P-Channel, Silicon, Metal
FDC6306P-G FAIRCHILD

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 		Transistor
FDC6306PL99Z FAIRCHILD

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 		Small Signal Field-Effect Transistor, 1.9A I(D), 20V, 2-Element, P-Channel, Silicon, Metal
FDC6306PS62Z FAIRCHILD

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 		Dual P-Channel 2.5V Specified PowerTrench⑩ MO
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