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| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | SOT |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6 | 针数： | 6 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.84 | 配置： | SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 25 V | 最大漏极电流 (ID)： | 0.46 A |
| 最大漏源导通电阻： | 1.5 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G6 | 元件数量： | 2 |
| 端子数量： | 6 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 极性/信道类型： | P-CHANNEL | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | YES | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | DUAL | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| FDC6304PS62Z | FAIRCHILD |
获取价格 |
Small Signal Field-Effect Transistor, 0.48A I(D), 25V, 2-Element, P-Channel, Silicon, Meta |
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| FDC6305 | FAIRCHILD |
获取价格 |
Dual N-Channel 2.5V Specified PowerTrenchTM MOSFET |
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| FDC6305N | FAIRCHILD |
获取价格 |
Dual N-Channel 2.5V Specified PowerTrenchTM MOSFET |
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| FDC6305N | ONSEMI |
获取价格 |
双 N 沟道，PowerTrench® MOSFET，2.5V 指定，20V，2.7A，8 |
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| FDC6306P | FAIRCHILD |
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Dual P-Channel 2.5V Specified PowerTrench⑩ MO |
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| FDC6306P | ONSEMI |
获取价格 |
双 P 沟道，PowerTrench® MOSFET，2.5V 指定，-20V，-1.9A |
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| FDC6306P_NL | FAIRCHILD |
获取价格 |
Small Signal Field-Effect Transistor, 1.9A I(D), 20V, 2-Element, P-Channel, Silicon, Metal |
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| FDC6306PD87Z | FAIRCHILD |
获取价格 |
Small Signal Field-Effect Transistor, 1.9A I(D), 20V, 2-Element, P-Channel, Silicon, Metal |
|
| FDC6306P-G | FAIRCHILD |
获取价格 |
Transistor |
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| FDC6306PL99Z | FAIRCHILD |
获取价格 |
Small Signal Field-Effect Transistor, 1.9A I(D), 20V, 2-Element, P-Channel, Silicon, Metal |
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