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FDC6301N_NL

更新时间： 2024-09-15 19:58:27

品牌	Logo	应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD		开关光电二极管晶体管
页数	文件大小	规格书
5页	369K
描述
Small Signal Field-Effect Transistor, 0.22A I(D), 25V, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, SUPERSOT-6

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FDC6301N_NL 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	SOT	包装说明：	SUPERSOT-6
针数：	6	Reach Compliance Code：	not_compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.37
其他特性：	LOGIC LEVEL COMPATIBLE	配置：	SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	25 V	最大漏极电流 (ID)：	0.22 A
最大漏源导通电阻：	4 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	R-PDSO-G6	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	1	元件数量：	2
端子数量：	6	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	0.9 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	YES
端子面层：	Matte Tin (Sn)	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

FDC6301N_NL 数据手册

September 2001

FDC6301N

Dual N-Channel , Digital FET

General Description

Features

25 V, 0.22 A continuous, 0.5 A Peak.

These dual N-Channel logic level enhancement mode field

effect transistors are produced using Fairchild 's proprietary,

high cell density, DMOS technology. This very high density

process is especially tailored to minimize on-state resistance.

This device has been designed especially for low voltage

applications as a replacement for digital transistors. Since bias

resistors are not required, these N-Channel FET's can replace

several digital transistors, with a variety of bias resistors.

_DS(ON)= 5 W @ V_GS= 2.7 V

_DS(ON)= 4 W @ V_GS= 4.5 V.

Very low level gate drive requirements allowing direct

operation in 3V circuits. V_GS(th)< 1.5V.

Gate-Source Zener for ESD ruggedness.

>6kV Human Body Model.

SuperSOT^TM-8

SuperSOT^TM-6

SOT-23

SO-8

SOIC-16

SOT-223

Mark: .301

Vcc

INVERTER APPLICATION

OUT

GND

Absolute Maximum Ratings T_A= 25^oC unless other wise noted

Symbol Parameter

FDC6301N

Units

V_DSS, V_CCDrain-Source Voltage, Power Supply Voltage

- 0.5 to +8

V_GSS, V_INGate-Source Voltage, V_IN

Drain/Output Current

- Continuous

- Pulsed

0.22

0.5

I_D, I_OUT

P_D

Maximum Power Dissipation

(Note 1a)

(Note 1b)

0.9

0.7

T_J,T_STG

ESD

Operating and Storage Temperature Range

-55 to 150

6.0

°C

Electrostatic Discharge Rating MIL-STD-883D

Human Body Model (100pf / 1500 Ohm)

THERMAL CHARACTERISTICS

R_qJA

R_qJC

Thermal Resistance, Junction-to-Ambient

Thermal Resistance, Junction-to-Case

(Note 1a)

(Note 1)

140

°C/W

FDC6301N Rev.D

12 3 4 5

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与FDC6301N_NL相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
FDC6301NS62Z	FAIRCHILD	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 0.2A I(D), 25V, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal
FDC6302P	FAIRCHILD	获取价格	Digital FET, Dual P-Channel
FDC6302P	ONSEMI	获取价格	双 P 沟道，数字 FET，-25V，-0.12A，10Ω
FDC6302P_NL	FAIRCHILD	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 0.12A I(D), 25V, 2-Element, P-Channel, Silicon, Meta
FDC6302PD84Z	ONSEMI	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 0.12A I(D), 25V, 2-Element, P-Channel, Silicon, Meta
FDC6302PD87Z	FAIRCHILD	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 0.12A I(D), 25V, 2-Element, P-Channel, Silicon, Meta
FDC6303	FAIRCHILD	获取价格	Digital FET, Dual N-Channel
FDC6303N	FAIRCHILD	获取价格	Digital FET, Dual N-Channel
FDC6303N	ONSEMI	获取价格	双 N 沟道，数字 FET，25V，0.68A，0.45Ω
FDC6304P	FAIRCHILD	获取价格	Digital FET, Dual P-Channel

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