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| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | SOT |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6 | 针数： | 6 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.37 | Is Samacsys： | N |
| 配置： | SEPARATE, 2 ELEMENTS | 最小漏源击穿电压： | 25 V |
| 最大漏极电流 (ID)： | 0.2 A | 最大漏源导通电阻： | 5 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 代码： | R-PDSO-G6 |
| 元件数量： | 2 | 端子数量： | 6 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | YES | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | DUAL | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| FDC6302P | FAIRCHILD |
获取价格 |
Digital FET, Dual P-Channel |
|
| FDC6302P | ONSEMI |
获取价格 |
双 P 沟道，数字 FET，-25V，-0.12A，10Ω |
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| FDC6302P_NL | FAIRCHILD |
获取价格 |
Small Signal Field-Effect Transistor, 0.12A I(D), 25V, 2-Element, P-Channel, Silicon, Meta |
|
| FDC6302PD84Z | ONSEMI |
获取价格 |
Small Signal Field-Effect Transistor, 0.12A I(D), 25V, 2-Element, P-Channel, Silicon, Meta |
|
| FDC6302PD87Z | FAIRCHILD |
获取价格 |
Small Signal Field-Effect Transistor, 0.12A I(D), 25V, 2-Element, P-Channel, Silicon, Meta |
|
| FDC6303 | FAIRCHILD |
获取价格 |
Digital FET, Dual N-Channel |
|
| FDC6303N | FAIRCHILD |
获取价格 |
Digital FET, Dual N-Channel |
|
| FDC6303N | ONSEMI |
获取价格 |
双 N 沟道，数字 FET，25V，0.68A，0.45Ω |
|
| FDC6304P | FAIRCHILD |
获取价格 |
Digital FET, Dual P-Channel |
|
| FDC6304P | ONSEMI |
获取价格 |
双 P 沟道，数字 FET，-25V，-0.46A，1.1Ω |
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