是否无铅: | 不含铅 | 是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Transferred | 零件包装代码: | SSOT |
包装说明: | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6 | 针数: | 6 |
Reach Compliance Code: | compliant | ECCN代码: | EAR99 |
HTS代码: | 8541.29.00.95 | 风险等级: | 5.28 |
Samacsys Confidence: | 3 | Samacsys Status: | Released |
Samacsys PartID: | 5347 | Samacsys Pin Count: | 6 |
Samacsys Part Category: | Integrated Circuit | Samacsys Package Category: | SOT23 (6-Pin) |
Samacsys Footprint Name: | TSOT23 6?Lead CASE 419BL ISSUE O_1 | Samacsys Released Date: | 2015-04-16 09:48:08 |
Is Samacsys: | N | 配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
最小漏源击穿电压: | 20 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID): | 5.8 A |
最大漏极电流 (ID): | 5.8 A | 最大漏源导通电阻: | 0.043 Ω |
FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 代码: | R-PDSO-G6 |
JESD-609代码: | e3 | 湿度敏感等级: | 1 |
元件数量: | 1 | 端子数量: | 6 |
工作模式: | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度: | 150 °C |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度(摄氏度): | 260 |
极性/信道类型: | P-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs): | 1.6 W |
最大脉冲漏极电流 (IDM): | 20 A | 认证状态: | Not Qualified |
子类别: | Other Transistors | 表面贴装: | YES |
端子面层: | Matte Tin (Sn) | 端子形式: | GULL WING |
端子位置: | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
晶体管元件材料: | SILICON | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
FDC608PZ-F171 | ONSEMI |
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P 沟道,PowerTrench® MOSFET,2.5V 指定,-20V,-5.8A,3 | |
FDC610PZ | FAIRCHILD |
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P-Channel PowerTrench㈢ MOSFET | |
FDC610PZ | ONSEMI |
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P 沟道,PowerTrench® MOSFET,-30V,-4.9A,42mΩ | |
FDC610PZ | KEXIN |
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P-Channel MOSFET | |
FDC6301 | FAIRCHILD |
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Dual N-Channel , Digital FET | |
FDC6301N | FAIRCHILD |
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Dual N-Channel , Digital FET | |
FDC6301N | ONSEMI |
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双 N 沟道,数字 FET,25V,0.22A,4Ω | |
FDC6301N_01 | FAIRCHILD |
获取价格 |
Dual N-Channel , Digital FET | |
FDC6301N_NL | FAIRCHILD |
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Small Signal Field-Effect Transistor, 0.22A I(D), 25V, 2-Element, N-Channel, Silicon, Meta | |
FDC6301NS62Z | FAIRCHILD |
获取价格 |
Small Signal Field-Effect Transistor, 0.2A I(D), 25V, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal |