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FDC610PZ

更新时间： 2024-09-14 04:18:35

品牌	Logo	应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD		晶体晶体管开关光电二极管
页数	文件大小	规格书
6页	463K
描述
P-Channel PowerTrench㈢ MOSFET

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FDC610PZ 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Transferred	零件包装代码：	SSOT
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6	针数：	6
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.29.00.95	风险等级：	3.31
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	30 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	4.9 A	最大漏极电流 (ID)：	0.0049 A
最大漏源导通电阻：	0.042 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大反馈电容 (Crss)：	190 pF	JESD-30 代码：	R-PDSO-G6
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	6
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	260
极性/信道类型：	P-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	1.6 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	YES	端子面层：	Matte Tin (Sn)
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

FDC610PZ 数据手册

August 2007

FDC610PZ

P-Channel PowerTrench^®MOSFET

–30V, –4.9A, 42mΩ

Features

General Description

Max r_DS(on)= 42mΩ at V_GS= –10V, I_D= –4.9A

Max r_DS(on)= 75mΩ at V_GS= –4.5V, I_D= –3.7A

Low gate charge (17nC typical).

This P-Channel MOSFET is produced using Fairchild

Semiconductor’s advanced PowerTrench^®process that has

been especially tailored to minimize the on-state resistance and

yet maintain low gate charge for superior switching performance.

These devices are well suited for battery power applications:

load switching and power management, battery charging

circuits, and DC/DC conversion.

High performance trench technology for extremely low r_DS(on).

SuperSOT^TM–6 package: small footprint (72% smaller than

standard SO–8) low profile (1mm thick).

Application

RoHS Compliant

DC - DC Conversion

Pin 1

SuperSOT^TM-6

MOSFET Maximum Ratings T_A= 25°C unless otherwise noted

Symbol

V_DS

V_GS

Parameter

Ratings

Units

Drain to Source Voltage

Gate to Source Voltage

Drain Current -Continuous

-Pulsed

–30

±25

(Note 1a)

–4.9

I_D

–20

Power Dissipation

(Note 1a)

(Note 1b)

1.6

P_D

Power Dissipation

0.8

T_J, T_STG

Operating and Storage Junction Temperature Range

–55 to +150

°C

Thermal Characteristics

R_θJA

Thermal Resistance, Junction to Ambient

(Note 1a)

(Note 1b)

°C/W

156

Package Marking and Ordering Information

Device Marking

Device

Package

Reel Size

Tape Width

8mm

Quantity

.610Z

FDC610PZ

SSOT6

7’’

3000units

FDC610PZ Rev.B

www.fairchildsemi.com

12 3 4 5 6

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与FDC610PZ相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
FDC6301	FAIRCHILD	获取价格	Dual N-Channel , Digital FET
FDC6301N	FAIRCHILD	获取价格	Dual N-Channel , Digital FET
FDC6301N	ONSEMI	获取价格	双 N 沟道，数字 FET，25V，0.22A，4Ω
FDC6301N_01	FAIRCHILD	获取价格	Dual N-Channel , Digital FET
FDC6301N_NL	FAIRCHILD	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 0.22A I(D), 25V, 2-Element, N-Channel, Silicon, Meta
FDC6301NS62Z	FAIRCHILD	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 0.2A I(D), 25V, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal
FDC6302P	FAIRCHILD	获取价格	Digital FET, Dual P-Channel
FDC6302P	ONSEMI	获取价格	双 P 沟道，数字 FET，-25V，-0.12A，10Ω
FDC6302P_NL	FAIRCHILD	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 0.12A I(D), 25V, 2-Element, P-Channel, Silicon, Meta
FDC6302PD84Z	ONSEMI	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 0.12A I(D), 25V, 2-Element, P-Channel, Silicon, Meta

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