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FDC608PZ PDF预览

FDC608PZ

更新时间： 2024-09-15 11:13:35
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI PC脉冲光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
6页 330K
描述
P 沟道，PowerTrench® MOSFET，2.5V 指定，-20V，-5.8A，30mΩ

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FDC608PZ 技术参数

是否无铅： 不含铅生命周期：Active
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.29.00.95
Factory Lead Time：13 weeks风险等级：0.94
Samacsys Confidence：3Samacsys Status：Released
Samacsys PartID：5347Samacsys Pin Count：6
Samacsys Part Category：Integrated CircuitSamacsys Package Category：SOT23 (6-Pin)
Samacsys Footprint Name：TSOT23 6?Lead CASE 419BL ISSUE O_1Samacsys Released Date：2015-04-16 09:48:08
Is Samacsys：N配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：20 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：5.8 A
最大漏极电流 (ID)：5.8 A最大漏源导通电阻：0.043 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-PDSO-G6
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：6
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
最低工作温度：-55 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：1.6 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：20 A
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：YES端子面层：Tin (Sn)
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

FDC608PZ 数据手册

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DATA SHEET  
www.onsemi.com  
MOSFET – P-Channel,  
POWERTRENCH)  
S
D
D
G
D
D
2.5 V Specified  
TSOT−23−6  
CASE 419BL  
FDC608PZ, FDC608PZ-F171  
Description  
1
2
3
6
5
4
This P−Channel 2.5 V specified MOSFET is produced using  
onsemi’s advanced POWERTRENCH process that has been  
especially tailored to minimize the on−state resistance and yet  
maintain low gate charge for superior switching performance. These  
devices are well suited for battery power applications: load switching  
and power management, battery power circuits, and dc−dc  
conversions.  
Features  
MARKING DIAGRAM  
• –5.8 A, –20 V. R  
= 30 mW @ V = –4.5 V  
GS  
= 43 mW @ V = –2.5 V  
GS  
DS(ON)  
R
DS(ON)  
608Z MG  
• Low Gate Charge  
G
• High Performance Trench Technology for Extremely Low R  
DS(ON)  
1
TM  
• SuperSOT  
–6 Package: Small Footprint (72% Smaller than  
Standard SO–8) Low Profile (1 mm Thick)  
608Z  
M
G
= Specific Device Code  
= Date Code  
= Pb−Free Package  
• These Devices are Pb−Free and Halide Free  
(Note: Microdot may be in either location)  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS  
Values are at T = 25°C unless otherwise noted.  
A
ORDERING INFORMATION  
Symbol  
Parameter  
Drain−Gate Voltage  
Gate−Source Voltage  
Drain Current – Continuous (Note 1a)  
Ratings  
–20  
Unit  
V
V
V
A
DSS  
GSS  
†
Package  
Device  
Shipping  
V
12  
TSOT−23−6  
(Pb-Free/  
3000 /  
Tape & Reel  
FDC608PZ  
I
D
–5.8  
–20  
Halide Free)  
– Pulsed  
P
D
Maximum Power Dissipation (Note 1a)  
(Note 1b)  
1.6  
0.8  
W
TSOT−23−6  
(Pb-Free/  
3000 /  
Tape & Reel  
FDC608PZ−F171  
Halide Free)  
T , T  
Operating and Storage Junction  
Temperature Range  
–55 to +150  
°C  
J
STG  
†For information on tape and reel specifications,  
including part orientation and tape sizes, please  
refer to our Tape and Reel Packaging Specifications  
Brochure, BRD8011/D.  
Stresses exceeding those listed in the Maximum Ratings table may damage the  
device. If any of these limits are exceeded, device functionality should not be  
assumed, damage may occur and reliability may be affected.  
THERMAL CHARACTERISTICS  
Values are at T = 25°C unless otherwise noted.  
A
Symbol  
Parameter  
Value  
Unit  
R
Thermal Resistance, Junction−to−Ambient  
(Note 1a)  
78  
°C/W  
q
JA  
R
Thermal Resistance, Junction−to−Case  
(Note 1)  
30  
°C/W  
q
JC  
1
Publication Order Number:  
© Semiconductor Components Industries, LLC, 1997  
FDC608PZ/D  
March 2022 − Rev. 3  
123456

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FDC608PZ 替代型号

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