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Datasheet > 晶体管 > 小信号场效应晶体管> FDC606P
FDC606P PDF预览

FDC606P

更新时间： 2024-09-13 22:49:03
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 晶体小信号场效应晶体管开关光电二极管PC
页数 文件大小 规格书
5页 155K
描述
P-Channel 1.8V Specified PowerTrench MOSFET

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FDC606P 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Transferred零件包装代码：SSOT
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6针数：6
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.29.00.95风险等级：3.89
Samacsys Confidence：3Samacsys Status：Released
Samacsys PartID：166982Samacsys Pin Count：6
Samacsys Part Category：Integrated CircuitSamacsys Package Category：SOT23 (6-Pin)
Samacsys Footprint Name：SSOT 6LSamacsys Released Date：2015-04-13 16:42:53
Is Samacsys：N配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：12 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：6 A
最大漏极电流 (ID)：6 A最大漏源导通电阻：0.026 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-PDSO-G6
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：6
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：P-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：0.8 W
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：YES端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

FDC606P 数据手册

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December 2001  
FDC606P  
P-Channel 1.8V Specified PowerTrenchMOSFET  
General Description  
Features  
This P-Channel 1.8V specified MOSFET uses  
Fairchild’s low voltage PowerTrench process. It has  
been optimized for battery power management  
applications.  
• –6 A, –12 V.  
RDS(ON) = 26 mΩ @ VGS = –4.5 V  
RDS(ON) = 35 mΩ @ VGS = –2.5 V  
DS(ON) = 53 mΩ @ VGS = –1.8 V  
R
• Fast switching speed  
Applications  
• High performance trench technology for extremely  
low RDS(ON)  
• Battery management  
• Load switch  
• Battery protection  
S
D
D
1
2
3
6
5
4
G
D
SuperSOT TM-6  
D
Absolute Maximum Ratings TA=25oC unless otherwise noted  
Symbol  
Parameter  
Ratings  
Units  
VDSS  
Drain-Source Voltage  
–12  
V
VGSS  
ID  
Gate-Source Voltage  
Drain Current – Continuous  
– Pulsed  
V
A
8
–6  
–20  
(Note 1a)  
PD  
Maximum Power Dissipation  
(Note 1a)  
(Note 1b)  
1.6  
0.8  
W
TJ, TSTG  
Operating and Storage Junction Temperature Range  
–55 to +150  
°C  
Thermal Characteristics  
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient  
Thermal Resistance, Junction-to-Case  
(Note 1a)  
(Note 1)  
78  
30  
RθJA  
RθJC  
°C/W  
°C/W  
Package Marking and Ordering Information  
Device Marking  
Device  
Reel Size  
Tape width  
Quantity  
.606  
FDC606P  
7’’  
8mm  
3000 units  
FDC606P Rev E (W)  
2001 Fairchild Semiconductor Corporation  
12345

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FDC606P 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
SI3473CDV-T1-GE3 VISHAY

功能相似

 TRANSISTOR 8000 mA, 12 V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, HALOGEN FREE AND ROHS COMPL

与FDC606P相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
FDC606P_NL FAIRCHILD

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 		Small Signal Field-Effect Transistor, 6A I(D), 12V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-o
FDC608PZ FAIRCHILD

获取价格

 		P-Channel 2.5V Specified PowerTrench MOSFET
FDC608PZ ONSEMI

获取价格

 		P 沟道，PowerTrench® MOSFET，2.5V 指定，-20V，-5.8A，3
FDC608PZ-F171 ONSEMI

获取价格

 		P 沟道，PowerTrench® MOSFET，2.5V 指定，-20V，-5.8A，3
FDC610PZ FAIRCHILD

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 		P-Channel PowerTrench㈢ MOSFET
FDC610PZ ONSEMI

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 		P 沟道，PowerTrench® MOSFET，-30V，-4.9A，42mΩ
FDC610PZ KEXIN

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 		P-Channel MOSFET
FDC6301 FAIRCHILD

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 		Dual N-Channel , Digital FET
FDC6301N FAIRCHILD

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 		Dual N-Channel , Digital FET
FDC6301N ONSEMI

获取价格

 		双 N 沟道，数字 FET，25V，0.22A，4Ω

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