生命周期: | Obsolete | 包装说明: | , |
Reach Compliance Code: | unknown | 风险等级: | 5.84 |
配置: | Single | 最大漏极电流 (Abs) (ID): | 5.5 A |
FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | 工作模式: | ENHANCEMENT MODE |
最高工作温度: | 150 °C | 极性/信道类型: | P-CHANNEL |
最大功率耗散 (Abs): | 1.6 W | 子类别: | Other Transistors |
表面贴装: | YES | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
FDC606P | FAIRCHILD |
获取价格 |
P-Channel 1.8V Specified PowerTrench MOSFET | |
FDC606P | ONSEMI |
获取价格 |
P 沟道,PowerTrench® MOSFET,1.8V 指定,-12V,-6A,26m | |
FDC606P_NL | FAIRCHILD |
获取价格 |
Small Signal Field-Effect Transistor, 6A I(D), 12V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-o | |
FDC608PZ | FAIRCHILD |
获取价格 |
P-Channel 2.5V Specified PowerTrench MOSFET | |
FDC608PZ | ONSEMI |
获取价格 |
P 沟道,PowerTrench® MOSFET,2.5V 指定,-20V,-5.8A,3 | |
FDC608PZ-F171 | ONSEMI |
获取价格 |
P 沟道,PowerTrench® MOSFET,2.5V 指定,-20V,-5.8A,3 | |
FDC610PZ | FAIRCHILD |
获取价格 |
P-Channel PowerTrench㈢ MOSFET | |
FDC610PZ | ONSEMI |
获取价格 |
P 沟道,PowerTrench® MOSFET,-30V,-4.9A,42mΩ | |
FDC610PZ | KEXIN |
获取价格 |
P-Channel MOSFET | |
FDC6301 | FAIRCHILD |
获取价格 |
Dual N-Channel , Digital FET |