5秒后页面跳转
| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | End Of Life |
| 零件包装代码： | TO-251 | 包装说明： | IN-LINE, R-PSIP-T3 |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | not_compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 6.37 |
| Is Samacsys： | N | 外壳连接： | DRAIN |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 30 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 75 A | 最大漏极电流 (ID)： | 75 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.0084 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码： | TO-251 | JESD-30 代码： | R-PSIP-T3 |
| JESD-609代码： | e3 | 湿度敏感等级： | 1 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 175 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | IN-LINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 60 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 300 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | FET General Purpose Power | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | Matte Tin (Sn) - annealed | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| STU85N3LH5 | STMICROELECTRONICS |
类似代替  |
N-channel 30 V, 0.0042 Ω , 80 A, DPAK, TO-220 |
|
| STD90N02L-1 | STMICROELECTRONICS |
功能相似 |
N-channel 24V - 0.0052ohm - 60A - DPAK - IPAK STripFET TM III Power MOSFET |
|
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| STU75N3LLH6-S | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N-channel 30 V, 0.0042 Ω, 75 A, DPAK, TO-220 |
|
| STU7LN80K5 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N沟道800 V、0.95 Ohm典型值、5 A MDmesh K5功率MOSFET，IP |
|
| STU7N105K5 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N沟道1050 V、1.4 Ohm典型值、4 A MDmesh K5功率MOSFET，IP |
|
| STU7N60M2 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N沟道600 V、0.86 Ohm典型值、5 A MDmesh M2功率MOSFET，IP |
|
| STU7N65M2 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N沟道650 V、0.98 Ohm典型值、5 A MDmesh M2功率MOSFET，IP |
|
| STU7N80K5 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N沟道800 V、0.95 Ohm典型值、6 A MDmesh K5功率MOSFET，IP |
|
| STU7NA60 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 600V V(BR)DSS | 7.6A I(D) | TO-220VAR |
|
| STU7NA80 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N - CHANNEL 800V - 1.3ohm - 6.5A - Max220 FAST POWER MOSFET |
|
| STU7NA90 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N - CHANNEL 900V - 1.05 ohm - 7A - Max220 FAST POWER MOS TRANSISTOR |
|
| STU7NB100 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N - CHANNEL 1000V - 1.2ohm - 7.3A - Max220 PowerMESH MOSFET |
|
解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
替代型号
如果您发现信息不准确，
