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| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | TO-251 |
| 包装说明： | IN-LINE, R-PSIP-T3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.81 | 其他特性： | LOW THRESHOLD |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 360 mJ | 外壳连接： | DRAIN |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 25 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 60 A | 最大漏极电流 (ID)： | 60 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.006 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码： | TO-251 | JESD-30 代码： | R-PSIP-T3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 175 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | IN-LINE | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 70 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 240 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | FET General Purpose Power |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| STU75N3LLH6 | STMICROELECTRONICS |
功能相似  |
N-channel 30 V, 0.0042 Ω, 75 A, DPAK, TO-220 |
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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| STD90N03L | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N-channel 30V - 0.005ヘ - 80A - DPAK/IPAK STri |
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| STD90N03L-1 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N-channel 30V - 0.005ヘ - 80A - DPAK/IPAK STri |
|
| STD90N4F3 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N-channel 40V - 5.4mヘ - 80A - DPAK - TO-220 - |
|
| STD90N4F3_08 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N-channel 40 V, 5.4 mΩ, 80 A, DPAK, TO-220, I |
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| STD90N4F3_09 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N-channel 40 V, 5.0 mΩ, 80 A, DPAK, TO-220, I |
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| STD90NH02L | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N-CHANNEL 24V - 0.0052 ohm - 60A DPAK/IPAK ST |
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| STD90NH02L_06 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N-channel 24V - 0.0052ohm - 60A - DPAK/IPAK STripFET TM Power MOSFET |
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| STD90NH02L-1 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N-channel 24V - 0.0052ohm - 60A - DPAK/IPAK STripFET TM Power MOSFET |
|
| STD90NH02LT4 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N-channel 24V - 0.0052ohm - 60A - DPAK/IPAK STripFET TM Power MOSFET |
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| STD90NS3LLH7 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N-channel 30 V, 2.8 mOhm typ., 80 A STripFET H7 Power MOSFET plus monolithic Schottky in a |
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解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
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