是否Rohs认证: | 符合 | 生命周期: | Active |
零件包装代码: | TO-252 | 包装说明: | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 |
针数: | 3 | Reach Compliance Code: | not_compliant |
ECCN代码: | EAR99 | Factory Lead Time: | 18 weeks |
风险等级: | 1.71 | 雪崩能效等级(Eas): | 400 mJ |
外壳连接: | DRAIN | 配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
最小漏源击穿电压: | 40 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID): | 80 A |
最大漏极电流 (ID): | 80 A | 最大漏源导通电阻: | 0.0058 Ω |
FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码: | TO-252 |
JESD-30 代码: | R-PSSO-G2 | JESD-609代码: | e3 |
湿度敏感等级: | 1 | 元件数量: | 1 |
端子数量: | 2 | 工作模式: | ENHANCEMENT MODE |
最高工作温度: | 175 °C | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | SMALL OUTLINE |
峰值回流温度(摄氏度): | 260 | 极性/信道类型: | N-CHANNEL |
最大功率耗散 (Abs): | 110 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM): | 320 A |
认证状态: | Not Qualified | 子类别: | FET General Purpose Power |
表面贴装: | YES | 端子面层: | Matte Tin (Sn) - annealed |
端子形式: | GULL WING | 端子位置: | SINGLE |
处于峰值回流温度下的最长时间: | 30 | 晶体管应用: | SWITCHING |
晶体管元件材料: | SILICON | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
NVD5803NT4G | ONSEMI |
功能相似 |
Power MOSFET 40 V, 85 A, Single N−Channel, DPAK |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
STD95N4F3_07 | STMICROELECTRONICS |
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N-channel 40V - 5.4mΩ - 80A - DPAK - TO-220 - | |
STD95N4F3_09 | STMICROELECTRONICS |
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N-channel 40 V, 5.0 mΩ, 80 A, DPAK, TO-220 ST | |
STD95N4LF3 | STMICROELECTRONICS |
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N沟道40 V、5 mOhm、80 A STripFET(TM) III功率MOSFET, | |
STD95NH02L | STMICROELECTRONICS |
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N-CHANNEL 24V - 0.0039ohm - 80A DPAK ULTRA LOW GATE CHARGE STripFET MOSFET | |
STD95NH02L_06 | STMICROELECTRONICS |
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N-channel 24V - 0.005239ohm - 80A - DPAK Ultra low gate charge STripFET TM Power MOSFET | |
STD95NH02L-1 | STMICROELECTRONICS |
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N-channel 24V - 0.0039ヘ - 80A - DPAK - IPAK U | |
STD95NH02LT4 | STMICROELECTRONICS |
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N-CHANNEL 24V - 0.0039ohm - 80A DPAK ULTRA LOW GATE CHARGE STripFET MOSFET | |
STD95P3LLH6AG | STMICROELECTRONICS |
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汽车级P沟道-30 V、5 mOhm典型值、-80 A STripFET H6功率MOSF | |
STD96N3LLH6 | STMICROELECTRONICS |
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N-channel 30 V, 0.0037 Ω, 80 A, DPAK STripFE | |
STD9916L | SAMHOP |
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N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor |