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STD95N4F3

更新时间: 2024-09-28 03:13:35
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意法半导体 - STMICROELECTRONICS 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲
页数 文件大小 规格书
14页 336K
描述
N-channel 40V - 5.4mOHM - 80A - DPAK - TO-220 - IPAK STripFET TM Power MOSFET

STD95N4F3 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Active
零件包装代码:TO-252包装说明:SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
针数:3Reach Compliance Code:not_compliant
ECCN代码:EAR99Factory Lead Time:18 weeks
风险等级:1.71雪崩能效等级(Eas):400 mJ
外壳连接:DRAIN配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压:40 V最大漏极电流 (Abs) (ID):80 A
最大漏极电流 (ID):80 A最大漏源导通电阻:0.0058 Ω
FET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码:TO-252
JESD-30 代码:R-PSSO-G2JESD-609代码:e3
湿度敏感等级:1元件数量:1
端子数量:2工作模式:ENHANCEMENT MODE
最高工作温度:175 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度):260极性/信道类型:N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs):110 W最大脉冲漏极电流 (IDM):320 A
认证状态:Not Qualified子类别:FET General Purpose Power
表面贴装:YES端子面层:Matte Tin (Sn) - annealed
端子形式:GULL WING端子位置:SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间:30晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICONBase Number Matches:1

STD95N4F3 数据手册

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STD95N4F3  
STP95N4F3 - STU95N4F3  
N-channel 40V - 5.4m- 80A - DPAK - TO-220 - IPAK  
STripFET™ Power MOSFET  
General features  
Type  
VDSS  
RDS(on)  
ID  
Pw  
STD95N4F3  
STP95N4F3  
STU95N4F3  
40V  
40V  
40V  
<6.5mΩ  
<6.5mΩ  
<6.5mΩ  
80A 110W  
80A 110W  
80A 110W  
3
3
3
2
2
1
1
1
Standard threshold drive  
100% avalanche tested  
TO-220  
IPAK  
DPAK  
Description  
This n-channel enhancement mode Power  
MOSFET is the latest refinement of  
STMicroelectronics unique “Single Feature  
Size™“strip-based process with less critical  
alignment steps and therefore a remarkable  
manufacturing reproducibility. The resulting  
transistor shows extremely high packing density  
for low on-resistance, rugged avalanche  
characteristics and low gate charge.  
Internal schematic diagram  
Applications  
Switching application  
Order codes  
Part number  
STD95N4F3  
STP95N4F3  
STU95N4F3  
Marking  
95N4F3  
95N4F3  
95N4F3  
Package  
DPAK  
Packaging  
Tape & reel  
Tube  
TO-220  
IPAK  
Tube  
February 2007  
Rev1  
1/14  
www.st.com  
14  

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型号 品牌 替代类型 描述 数据表
NVD5803NT4G ONSEMI

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