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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | TO-251 | 包装说明： | ROHS COMPLIANT, IPAK-3 |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.82 |
| Is Samacsys： | N | 其他特性： | LOW THRESHOLD |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 600 mJ | 外壳连接： | DRAIN |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 24 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 60 A | 最大漏极电流 (ID)： | 60 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.006 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码： | TO-251 | JESD-30 代码： | R-PSIP-T3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 175 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | IN-LINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 95 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 240 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | FET General Purpose Power | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| STD90NH02LT4 | STMICROELECTRONICS |
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N-channel 24V - 0.0052ohm - 60A - DPAK/IPAK STripFET TM Power MOSFET |
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| STD90NS3LLH7 | STMICROELECTRONICS |
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N-channel 30 V, 2.8 mOhm typ., 80 A STripFET H7 Power MOSFET plus monolithic Schottky in a |
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| STD910 | STMICROELECTRONICS |
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15A, 80V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-252 |
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| STD910T4 | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | PNP | 80V V(BR)CEO | 15A I(C) | TO-252 |
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| STD93003 | STMICROELECTRONICS |
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HIGH VOLTAGE FAST-SWITCHING PNP POWER TRANSISTOR |
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| STD93003-1 | ETC |
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BJT |
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| STD93003T4 | ETC |
获取价格 |
BJT |
|
| STD9410 | SAMHOP |
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N-Channel E nhancement Mode F ield E ffect Transistor |
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| STD95N04 | STMICROELECTRONICS |
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N-CHANNEL 40V - 5.4mohm - 80A - DPAK - TO-220 STripFET Power MOSFET |
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| STD95N2LH5 | STMICROELECTRONICS |
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N-channel 25 V - 0.0038 ヘ - 80 A - DPAK - IPA |
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