是否Rohs认证: | 符合 | 生命周期: | Obsolete |
包装说明: | ROHS COMPLIANT, DPAK-3 | 针数: | 3 |
Reach Compliance Code: | unknown | ECCN代码: | EAR99 |
风险等级: | 5.8 | Is Samacsys: | N |
雪崩能效等级(Eas): | 400 mJ | 外壳连接: | DRAIN |
配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压: | 40 V |
最大漏极电流 (Abs) (ID): | 80 A | 最大漏极电流 (ID): | 80 A |
最大漏源导通电阻: | 0.0065 Ω | FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JESD-30 代码: | R-PSSO-G2 | 元件数量: | 1 |
端子数量: | 2 | 工作模式: | ENHANCEMENT MODE |
最高工作温度: | 175 °C | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | SMALL OUTLINE |
峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型: | N-CHANNEL |
最大功率耗散 (Abs): | 110 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM): | 320 A |
认证状态: | Not Qualified | 子类别: | FET General Purpose Power |
表面贴装: | YES | 端子形式: | GULL WING |
端子位置: | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
晶体管应用: | SWITCHING | 晶体管元件材料: | SILICON |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
IPD75N04S4-06 | INFINEON |
功能相似 |
OptiMOS-T2 Power-Transistor | |
IPD70N04S3-07 | INFINEON |
功能相似 |
OptiMOS-T Power-Transistor |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
STD90N4F3_08 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N-channel 40 V, 5.4 mΩ, 80 A, DPAK, TO-220, I | |
STD90N4F3_09 | STMICROELECTRONICS |
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N-channel 40 V, 5.0 mΩ, 80 A, DPAK, TO-220, I | |
STD90NH02L | STMICROELECTRONICS |
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N-CHANNEL 24V - 0.0052 ohm - 60A DPAK/IPAK ST | |
STD90NH02L_06 | STMICROELECTRONICS |
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N-channel 24V - 0.0052ohm - 60A - DPAK/IPAK STripFET TM Power MOSFET | |
STD90NH02L-1 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N-channel 24V - 0.0052ohm - 60A - DPAK/IPAK STripFET TM Power MOSFET | |
STD90NH02LT4 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N-channel 24V - 0.0052ohm - 60A - DPAK/IPAK STripFET TM Power MOSFET | |
STD90NS3LLH7 | STMICROELECTRONICS |
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N-channel 30 V, 2.8 mOhm typ., 80 A STripFET H7 Power MOSFET plus monolithic Schottky in a | |
STD910 | STMICROELECTRONICS |
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15A, 80V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-252 | |
STD910T4 | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | PNP | 80V V(BR)CEO | 15A I(C) | TO-252 | |
STD93003 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
HIGH VOLTAGE FAST-SWITCHING PNP POWER TRANSISTOR |