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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Active | 零件包装代码： | TO-252 |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 | 针数： | 4 |
| Reach Compliance Code： | not_compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| Factory Lead Time： | 1 week | 风险等级： | 1.58 |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 72 mJ | 外壳连接： | DRAIN |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 40 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 75 A | 最大漏极电流 (ID)： | 75 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.0059 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码： | TO-252 | JESD-30 代码： | R-PSSO-G2 |
| JESD-609代码： | e3 | 湿度敏感等级： | 1 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 175 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 58 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 300 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | FET General Purpose Power | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | Matte Tin (Sn) | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管元件材料： | SILICON |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| IPD70N04S3-07 | INFINEON |
类似代替  |
OptiMOS-T Power-Transistor |
|
| STD90N4F3 | STMICROELECTRONICS |
功能相似 |
N-channel 40V - 5.4mヘ - 80A - DPAK - TO-220 - |
|
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IPD78CN10NG | INFINEON |
获取价格 |
OptiMOS㈢2 Power-Transistor |
|
| IPD78CN10NGATMA1 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 13A I(D), 100V, 0.078ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
|
| IPD78CN10NGBUMA1 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 13A I(D), 100V, 0.078ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
|
| IPD800N06NG | INFINEON |
获取价格 |
OptiMOS㈢ Power-Transistor |
|
| IPD800N06NG_08 | INFINEON |
获取价格 |
OptiMOS® Power-Transistor Features For fast s |
|
| IPD800N06NGBTMA1 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 16A I(D), 60V, 0.08ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
|
| IPD80CN10NG | INFINEON |
获取价格 |
OptiMOS2 Power-Transistor |
|
| IPD80N04S3-06 | INFINEON |
获取价格 |
OptiMOS-T Power-Transistor |
|
| IPD80N06S3-09 | INFINEON |
获取价格 |
OptiMOS-T Power-Transistor |
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| IPD80P03P4L-07 | INFINEON |
获取价格 |
OptiMOS-P2 Power-Transistor |
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