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STD90NH02LT4

更新时间: 2024-01-14 09:11:55
品牌 Logo 应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS /
页数 文件大小 规格书
16页 479K
描述
N-channel 24V - 0.0052ohm - 60A - DPAK/IPAK STripFET TM Power MOSFET

STD90NH02LT4 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Obsolete
零件包装代码:TO-252AA包装说明:ROHS COMPLIANT, DPAK-3
针数:3Reach Compliance Code:not_compliant
ECCN代码:EAR99风险等级:5.8
其他特性:LOW THRESHOLD雪崩能效等级(Eas):600 mJ
外壳连接:DRAIN配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压:24 V最大漏极电流 (Abs) (ID):60 A
最大漏极电流 (ID):60 A最大漏源导通电阻:0.006 Ω
FET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码:TO-252AA
JESD-30 代码:R-PSSO-G2JESD-609代码:e3
湿度敏感等级:1元件数量:1
端子数量:2工作模式:ENHANCEMENT MODE
最高工作温度:175 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度):260极性/信道类型:N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs):95 W最大脉冲漏极电流 (IDM):240 A
认证状态:Not Qualified子类别:FET General Purpose Power
表面贴装:YES端子面层:Matte Tin (Sn)
端子形式:GULL WING端子位置:SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间:30晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICONBase Number Matches:1

STD90NH02LT4 数据手册

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STD90NH02L  
STD90NH02L-1  
N-channel 24V - 0.0052- 60A - DPAK/IPAK  
STripFET™ II Power MOSFET  
General features  
Type  
VDSS  
RDS(on)  
ID  
STD90NH02L-1  
STD90NH02L  
24V  
24V  
<0.006Ω  
<0.006Ω  
60A(1)  
60A(1)  
3
3
1. Value limited by wire bonding  
R  
2
1
1
* Q industry’s benchmark  
DS(ON)  
g
DPAK  
Conduction losses reduced  
Switching losses reduced  
Low threshold device  
IPAK  
Description  
The device utilizes the latest advanced design  
rules of ST’s proprietary STripFET™ technology.  
This is suitable for the most demanding DC-DC  
converter application where high efficiency is to  
be achieved.  
Internal schematic diagram  
Applications  
Switching application  
Order codes  
Part number  
Marking  
Package  
Packaging  
STD90NH02LT4  
STD90NH02L-1  
D90NH02L  
D90NH02L  
DPAK  
IPAK  
Tape & reel  
Tube  
August 2006  
Rev 6  
1/16  
www.st.com  
16  

STD90NH02LT4 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
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TRANSISTOR | BJT | PNP | 80V V(BR)CEO | 15A I(C) | TO-252
STD93003 STMICROELECTRONICS

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STD95N2LH5_08 STMICROELECTRONICS

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N-channel 25 V, 0.0038 Ω, 80 A - DPAK - IPAK