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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | TO-251AA | 包装说明： | ROHS COMPLIANT, IPAK-3 |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | not_compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.82 |
| 其他特性： | LOW THRESHOLD | 雪崩能效等级（Eas）： | 600 mJ |
| 外壳连接： | DRAIN | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 24 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 80 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 80 A | 最大漏源导通电阻： | 0.009 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码： | TO-251AA |
| JESD-30 代码： | R-PSIP-T3 | JESD-609代码： | e3 |
| 湿度敏感等级： | 1 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 175 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | IN-LINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 100 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 320 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | FET General Purpose Power |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | Matte Tin (Sn) - annealed |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| STD95NH02LT4 | STMICROELECTRONICS |
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N-CHANNEL 24V - 0.0039ohm - 80A DPAK ULTRA LOW GATE CHARGE STripFET MOSFET |
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| STD95P3LLH6AG | STMICROELECTRONICS |
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汽车级P沟道-30 V、5 mOhm典型值、-80 A STripFET H6功率MOSF |
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| STD96N3LLH6 | STMICROELECTRONICS |
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N-channel 30 V, 0.0037 Ω, 80 A, DPAK STripFE |
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| STD9916L | SAMHOP |
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N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor |
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| STD9N10 | STMICROELECTRONICS |
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N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR |
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| STD9N10-1 | STMICROELECTRONICS |
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N-CHANNEL 100V - 0.23 ohm - 9A DPAK/IPAK POWER MOS TRANSISTOR |
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| STD9N10L | STMICROELECTRONICS |
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N - CHANNEL 100V - 0.22ohm - 9A IPAK/DPAK POWER MOS TRANSISTOR |
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| STD9N10L-1 | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 9A I(D) | TO-251AA |
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| STD9N10LT4 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 9A I(D) | TO-252AA |
|
| STD9N10T4 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N-CHANNEL 100V - 0.23 ohm - 9A DPAK/IPAK POWER MOS TRANSISTOR |
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