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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> STU7NB90I
STU7NB90I PDF预览

STU7NB90I

更新时间： 2024-11-01 22:18:07
品牌 Logo 应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲
页数 文件大小 规格书
9页 405K
描述
N-CHANNEL 900V - 1.1 ohm - 7.3 A Max220/Max220I PowerMesh⑩ MOSFET

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STU7NB90I 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
包装说明：MAX220I, 3 PIN针数：3
Reach Compliance Code：not_compliant风险等级：5.88
Is Samacsys：N雪崩能效等级（Eas）：600 mJ
外壳连接：ISOLATED配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：900 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：7.3 A
最大漏极电流 (ID)：7.3 A最大漏源导通电阻：1.45 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-PSIP-T3
JESD-609代码：e0元件数量：1
端子数量：3工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：IN-LINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：60 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：29.2 A
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：NO端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

STU7NB90I 数据手册

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STU7NB90  
STU7NB90I  
N-CHANNEL 900V - 1.1 Ω - 7.3 A Max220/Max220I  
PowerMesh™ MOSFET  
TYPE  
STU7NB90  
STU7NB90I  
V
R
I
D
DSS  
DS(on)  
900 V  
900 V  
< 1.45 Ω  
< 1.45 Ω  
7.3 A  
7.3 A  
■
■
■
■
■
■
TYPICAL R (on) = 1.1 Ω  
DS  
EXTREMELY HIGH dv/dt CAPABILITY  
100% AVALANCHE TESTED  
VERY LOW INTRINSIC CAPACITANCES  
GATE CHARGE MINIMIZED  
REDUCED VOLTAGE SPREAD  
3
2
1
Max220  
Max220I  
DESCRIPTION  
Using the latest high voltage MESH OVERLAY™  
process, STMicroelectronics has designed an ad-  
vanced family of power MOSFETs with outstanding  
performances. The new patent pending strip layout  
coupled with the Company’s proprieraty edge termi-  
INTERNAL SCHEMATIC DIAGRAM  
nation structure, gives the lowest R  
per area,  
DS(on)  
exceptional avalanche and dv/dt capabilities and  
unrivalled gate charge and switching characteris-  
tics.  
APPLICATIONS  
■
■
■
HIGH CURRENT, HIGH SPEED SWITCHING  
SWITH MODE POWER SUPPLIES (SMPS)  
DC-AC CONVERTERS FOR WELDING  
EQUIPMENT  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS  
Symbol  
Parameter  
Value  
Unit  
STU7NB90  
STU7NB90I  
V
Drain-source Voltage (V = 0)  
900  
900  
±30  
V
V
DS  
GS  
V
Drain-gate Voltage (R = 20 kΩ)  
DGR  
GS  
V
GS  
Gate- source Voltage  
V
I
Drain Current (continuos) at T = 25°C  
7.3  
4.6  
7.3 (*)  
4.6 (*)  
29.2 (*)  
60  
A
D
C
I
Drain Current (continuos) at T = 100°C  
A
D
C
I
( )  
●
Drain Current (pulsed)  
29.2  
170  
1.36  
A
DM  
P
Total Dissipation at T = 25°C  
W
TOT  
C
Derating Factor  
0.47  
W/°C  
V/ns  
V
dv/dt (1)  
Peak Diode Recovery voltage slope  
Insulation Withstand Voltage (DC)  
Storage Temperature  
4
V
-
2500  
ISO  
T
stg  
–65 to 150  
150  
°C  
°C  
T
Max. Operating Junction Temperature  
j
(1) I ≤7.3 A, di/dt ≤200A/µs, V  
(*) Current Limited by Package  
≤ V , T ≤ T  
(BR)DSS j JMAX.  
SD  
DD  
(•)Pulse width limited by safe operating area  
May 2001  
1/9  
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与STU7NB90I相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
STU7NM60N STMICROELECTRONICS

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 		N-channel 600 V, 5 A, 0.84 ohm, DPAK, TO-220FP, TO-220, IPAK second generation MDmesh Powe
STU85N3LH5 STMICROELECTRONICS

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 		N-channel 30 V, 0.0042 Ω , 80 A, DPAK, TO-220
STU8N65M5 STMICROELECTRONICS

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 		N-channel 650 V, 0.56 Ω, 7 A MDmesh? V Power
STU8N80K5 STMICROELECTRONICS

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 		N-channel 800 V, 0.8 typ., 6 A Zener-protected SuperMESH 5 Power MOSFET in TO-220 and IPA
STU8NA80 STMICROELECTRONICS

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 		N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE FAST POWER MOS TRANSISTOR
STU8NB90 STMICROELECTRONICS

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 		N-CHANNEL 900V - 0.7ohm - 8.9A - Max220 PowerMESH MOSFET
STU8NC90Z STMICROELECTRONICS

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 		N-CHANNEL 900V - 1.1ohm - 7.6A Max220/I-Max22
STU8NC90ZI STMICROELECTRONICS

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 		OLD PRODUCT: NOT SUITABLE FOR NEW DESIGN-IN
STU8NM50N STMICROELECTRONICS

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 		N-channel 500 V, 0.73 Ω typ., 5 A MDmesh™I
STU90N4F3 STMICROELECTRONICS

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 		N-channel 40V - 5.4mヘ - 80A - DPAK - TO-220 -

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