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| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | TO-251 |
| 包装说明： | ROHS COMPLIANT, IPAK-3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.81 | Is Samacsys： | N |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 165 mJ | 外壳连接： | DRAIN |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 25 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 80 A | 最大漏极电流 (ID)： | 80 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.007 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码： | TO-251 | JESD-30 代码： | R-PSIP-T3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 175 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | IN-LINE | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 70 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 320 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | FET General Purpose Power |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| STU95N3LLH6 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N-channel 30 V, 0.0037 Ω , 80 A, D2PAK, DPAK |
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| STU95N4F3 | STMICROELECTRONICS |
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N-channel 40V - 5.4mOHM - 80A - DPAK - TO-220 - IPAK STripFET TM Power MOSFET |
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| STU9916L | SAMHOP |
获取价格 |
N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor |
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| STU9N60M2 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N沟道600 V、0.72 Ohm典型值、5.5 A MDmesh M2功率MOSFET， |
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| STU9NA60 | STMICROELECTRONICS |
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N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE FAST POWER MOS TRANSISTOR |
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| STU9NB80 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N-CHANNEL 800V - 0.85ohm - 9.3A - TO-247 PowerMESH MOSFET |
|
| STU9NC80 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N-CHANNEL 800V - 0.82ohm - 8.6A Max220/I-Max2 |
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| STU9NC80Z | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N-CHANNEL 800V - 0.82ohm - 8.6A Max220/I-Max2 |
|
| STU9NC80ZI | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N-CHANNEL 800V - 0.82ohm - 8.6A Max220/I-Max2 |
|
| STU9NC90ZI | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N-CHANNEL 900V - 1.1ohm - 7.6A Max220/I-Max22 |
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