STU95N3LLH6

更新时间： 2024-11-16 12:03:11

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意法半导体 - STMICROELECTRONICS		晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲
页数	文件大小	规格书
18页	936K
描述
N-channel 30 V, 0.0037 Î© , 80 A, D2PAK, DPAK, IPAK, TO-220 STripFET VI DeepGATE Power MOSFET

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STU95N3LLH6 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	TO-251
包装说明：	IN-LINE, R-PSIP-T3	针数：	3
Reach Compliance Code：	not_compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.83	Is Samacsys：	N
雪崩能效等级（Eas）：	150 mJ	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	30 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	80 A	最大漏极电流 (ID)：	80 A
最大漏源导通电阻：	0.0075 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-251	JESD-30 代码：	R-PSIP-T3
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	175 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	IN-LINE	峰值回流温度（摄氏度）：	260
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	70 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	320 A	认证状态：	Not Qualified
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	NO
端子面层：	Matte Tin (Sn) - annealed	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

STU95N3LLH6 数据手册

STB95N3LLH6, STD95N3LLH6

STP95N3LLH6, STU95N3LLH6

N-channel 30 V, 0.0037 Ω , 80 A, D²PAK, DPAK, IPAK, TO-220

STripFET™ VI DeepGATE™ Power MOSFET

Features

Type

V_DSS

R_DS(on)max

I_D

STB95N3LLH6

STD95N3LLH6

STP95N3LLH6

STU95N3LLH6

30 V

0.0042 Ω

0.0047 Ω

80 A

DPAK

IPAK

■ R

* Q industry benchmark

DS(on)

■ Extremely low on-resistance R

■ High avalanche ruggedness

■ Low gate drive power losses

DS(on)

D²PAK

TO-220

Application

Figure 1.

Internal schematic diagram

■ Switching applications

D (TAB or 2)

Description

This product utilizes the 6th generation of design

rules of ST’s proprietary STripFET™ technology,

with a new gate structure.The resulting Power

G(1)

MOSFET exhibits the lowest R

packages.

in all

DS(on)

S(3)

AM01474v1

Table 1.

Device summary

Order codes

Marking

Package

Packaging

STB95N3LLH6

STD95N3LLH6

STP95N3LLH6

STU95N3LLH6

95N3LLH6

D²PAK

DPAK

TO-220

IPAK

Tape and reel

Tube

November 2009

Doc ID 15228 Rev 3

1/18

www.st.com

12 3 4 5 6 7...18

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STU95N3LLH6 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
STD95N3LLH6	STMICROELECTRONICS	功能相似	N-channel 30 V, 0.0037 Î© , 80 A, D2PAK, DPAK
STP85N3LH5	STMICROELECTRONICS	功能相似	N-channel 30 V, 0.0042 Ω , 80 A, DPAK, TO-220

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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STU9NA60	STMICROELECTRONICS	获取价格	N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE FAST POWER MOS TRANSISTOR
STU9NB80	STMICROELECTRONICS	获取价格	N-CHANNEL 800V - 0.85ohm - 9.3A - TO-247 PowerMESH MOSFET
STU9NC80	STMICROELECTRONICS	获取价格	N-CHANNEL 800V - 0.82ohm - 8.6A Max220/I-Max2
STU9NC80Z	STMICROELECTRONICS	获取价格	N-CHANNEL 800V - 0.82ohm - 8.6A Max220/I-Max2
STU9NC80ZI	STMICROELECTRONICS	获取价格	N-CHANNEL 800V - 0.82ohm - 8.6A Max220/I-Max2
STU9NC90ZI	STMICROELECTRONICS	获取价格	N-CHANNEL 900V - 1.1ohm - 7.6A Max220/I-Max22
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