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STU9NA60

更新时间： 2024-11-15 22:17:59
品牌 Logo 应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲
页数 文件大小 规格书
5页 74K
描述
N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE FAST POWER MOS TRANSISTOR

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STU9NA60 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
包装说明：MAX220, 3 PIN针数：3
Reach Compliance Code：compliant风险等级：5.82
Is Samacsys：N雪崩能效等级（Eas）：405 mJ
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：600 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：9 A最大漏极电流 (ID)：9 A
最大漏源导通电阻：0.8 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：R-PSIP-T3JESD-609代码：e3
元件数量：1端子数量：3
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：IN-LINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：145 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：36 A认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：NO
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

STU9NA60 数据手册

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STU9NA60  
N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE  
FAST POWER MOS TRANSISTOR  
PRELIMINARY DATA  
TYPE  
VDSS  
RDS(on)  
< 0.8 Ω  
ID  
STU9NA60  
600 V  
9 A  
■
■
TYPICAL RDS(on) = 0.68 Ω  
EFFICIENT AND RELAIBLE MOUNTING  
THROUGH CLIP  
■
■
■
■
± 30V GATE TO SOURCE VOLTAGE RATING  
100% AVALANCHE TESTED  
GATE CHARGE MINIMIZED  
3
2
REDUCED THRESHOLD VOLTAGE SPREAD  
1
DESCRIPTION  
The Max220TM package is a new high volume  
power package exibiting the same footprint as the  
industry standard TO-220, but designed to  
accomodate much larger silicon chips, normally  
supplied in bigger packages. The increased die  
capacity makes the device ideal to reduce  
component count in multiple paralleled TO-220  
designs and save board space with respect to  
larger packages.  
Max220TM  
INTERNAL SCHEMATIC DIAGRAM  
APPLICATIONS  
■
■
■
HIGH CURRENT, HIGH SPEED SWITCHING  
SWITCH MODE POWER SUPPLIES (SMPS)  
DC-AC CONVERTERS FOR WELDING  
EQUIPMENT AND UNINTERRUPTIBLE  
POWER SUPPLIES (UPS)  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS  
Symbol  
VDS  
VDGR  
VGS  
ID  
Parameter  
Value  
600  
Unit  
Drain-source Voltage (VGS = 0)  
Drain- gate Voltage (RGS = 20 kΩ)  
Gate-source Voltage  
V
V
600  
± 30  
9
V
o
Drain Current (continuous) at Tc = 25 C  
A
o
ID  
Drain Current (continuous) at Tc = 100 C  
5.7  
A
I
DM(•)  
Drain Current (pulsed)  
36  
A
o
Ptot  
Total Dissipation at Tc = 25 C  
145  
W
Derating Factor  
1.16  
-65 to 150  
150  
W/oC  
oC  
oC  
Tstg  
Tj  
Storage Temperature  
Max. Operating Junction Temperature  
(•) Pulse width limited by safe operating area  
1/5  
March 1996  
12345

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