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| 意法半导体 - STMICROELECTRONICS |  |
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| 页数 | 文件大小 | 规格书 |
| 5页 | 50K |  |
| 描述 | ||
| N-CHANNEL 900V - 0.7ohm - 8.9A - Max220 PowerMESH MOSFET | ||
| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | MAX220, 3 PIN | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | not_compliant | 风险等级： | 5.8 |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 400 mJ | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 900 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 8.9 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 8.9 A | 最大漏源导通电阻： | 1 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 代码： | R-PSIP-T3 |
| JESD-609代码： | e3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | IN-LINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 160 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 35 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | FET General Purpose Power |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | Matte Tin (Sn) |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| STU8NC90Z | STMICROELECTRONICS |
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N-CHANNEL 900V - 1.1ohm - 7.6A Max220/I-Max22 |
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| STU8NC90ZI | STMICROELECTRONICS |
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OLD PRODUCT: NOT SUITABLE FOR NEW DESIGN-IN |
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| STU8NM50N | STMICROELECTRONICS |
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N-channel 500 V, 0.73 Ω typ., 5 A MDmeshâ¢I |
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| STU90N4F3 | STMICROELECTRONICS |
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N-channel 40V - 5.4mヘ - 80A - DPAK - TO-220 - |
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| STU9410 | SAMHOP |
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N-Channel E nhancement Mode F ield E ffect Transistor |
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| STU95N2LH5 | STMICROELECTRONICS |
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N-channel 25 V - 0.0038 ヘ - 80 A - DPAK - IPA |
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| STU95N3LLH6 | STMICROELECTRONICS |
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N-channel 30 V, 0.0037 Ω , 80 A, D2PAK, DPAK |
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| STU95N4F3 | STMICROELECTRONICS |
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N-channel 40V - 5.4mOHM - 80A - DPAK - TO-220 - IPAK STripFET TM Power MOSFET |
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| STU9916L | SAMHOP |
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N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor |
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| STU9N60M2 | STMICROELECTRONICS |
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N沟道600 V、0.72 Ohm典型值、5.5 A MDmesh M2功率MOSFET， |
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