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STU90N4F3

更新时间: 2024-11-16 03:26:07
品牌 Logo 应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲
页数 文件大小 规格书
14页 343K
描述
N-channel 40V - 5.4mヘ - 80A - DPAK - TO-220 - IPAK STripFET⑩ Power MOSFET

STU90N4F3 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:End Of Life
包装说明:IN-LINE, R-PSIP-T3针数:3
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
风险等级:5.74Is Samacsys:N
雪崩能效等级(Eas):400 mJ外壳连接:DRAIN
配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压:40 V
最大漏极电流 (Abs) (ID):80 A最大漏极电流 (ID):80 A
最大漏源导通电阻:0.0062 ΩFET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码:R-PSIP-T3元件数量:1
端子数量:3工作模式:ENHANCEMENT MODE
最高工作温度:175 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:IN-LINE
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED极性/信道类型:N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs):110 W最大脉冲漏极电流 (IDM):320 A
认证状态:Not Qualified子类别:FET General Purpose Power
表面贴装:NO端子形式:THROUGH-HOLE
端子位置:SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
晶体管应用:SWITCHING晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1

STU90N4F3 数据手册

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STD90N4F3  
STP90N4F3 - STU90N4F3  
N-channel 40V - 5.4m- 80A - DPAK - TO-220 - IPAK  
STripFET™ Power MOSFET  
Features  
Type  
VDSS  
RDS(on)  
ID  
Pw  
STD90N4F3  
STP90N4F3  
STU90N4F3  
40V  
40V  
40V  
<6.5mΩ  
<6.5mΩ  
<6.5mΩ  
80A 110W  
80A 110W  
80A 110W  
3
3
3
2
2
1
1
1
Standard threshold drive  
100% avalanche tested  
TO-220  
IPAK  
DPAK  
Applications  
Switching application  
Description  
Figure 1.  
Internal schematic diagram  
This n-channel enhancement mode Power  
MOSFET is the latest refinement of  
STMicroelectronics unique “single feature size“  
strip-based process with less critical alignment  
steps and therefore a remarkable manufacturing  
reproducibility. The resulting transistor shows  
extremely high packing density for low on-  
resistance, rugged avalanche characteristics and  
low gate charge.  
Table 1.  
Device summary  
Order code  
Marking  
90N4F3  
90N4F3  
90N4F3  
Package  
DPAK  
Packaging  
Tape & reel  
Tube  
STD90N4F3  
STP90N4F3  
STU90N4F3  
TO-220  
IPAK  
Tube  
November 2007  
Rev1  
1/14  
www.st.com  
14  

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